[发明专利]层间电介质层的平面化方法

权利要求书

1.一种层间电介质层的平面化方法，包括：

在晶片上方提供包括至少一个牺牲层和位于所述至少一个牺牲层下方的绝缘层的多层结构；

对多层结构进行第一次反应离子刻蚀，其中控制反应室气压，使得对所述至少一个牺牲层位于晶片中央位置的部分的刻蚀速率大于位于晶片边缘位置的部分的刻蚀速率，以获得凹形刻蚀剖面；

对多层结构进行第二次反应离子刻蚀，完全去除牺牲层以及去除绝缘层的一部分，以获得具有平整表面的绝缘层作为层间电介质层。

2.根据权利要求1所述的平面化方法，其中在第一次反应离子刻蚀和第二次反应离子之间还包括附加的反应离子刻蚀，其中控制反应室气压，使得对所述至少一个牺牲层位于晶片中央位置的部分的刻蚀速率小于位于晶片边缘位置的部分的刻蚀速率，以减小凹形刻蚀剖面的内凹程度。

3.根据权利要求1所述的平面化方法，其中第一次反应离子刻蚀达到至少在晶片的中央位置暴露绝缘层的顶部表面的深度。

4.根据权利要求3所述的平面化方法，其中第一次反应离子刻蚀进一步在晶片的中央位置对绝缘层过刻蚀。

5.根据权利要求2所述的平面化方法，其中第一次反应离子刻蚀和附加的反应离子刻蚀采用具有相同的组成及相同的配比的刻蚀气体，并且第一次反应离子刻蚀的反应室气压比附加的反应离子刻蚀的反应室气压更高。

6.根据权利要求5所述的平面化方法，其中在第一次反应离子刻蚀中，控制RF功率，使得对所述至少一个牺牲层位于晶片中央位置的部分的刻蚀速率与位于晶片边缘位置的部分的刻蚀速率之间的差值最大化。

7.根据权利要求1所述的平面化方法，其中所述至少一个牺牲层由选自SOG、光抗蚀剂、低K材料的一种材料组成。

8.根据权利要求7所述的平面化方法，其中所述至少一个牺牲层为SOG层，并且第一次反应离子刻蚀采用的刻蚀气体为三氟甲烷、四氟化碳、氩气的混合气体。

9.根据权利要求7所述的平面化方法，其中所述至少一个牺牲层为光抗蚀剂层，并且第一次反应离子刻蚀采用的刻蚀气体为氧气和氩气的混合气体。

10.根据权利要求1所述的平面化方法，其中所述绝缘层由选自BPSG、SiO₂、SiNx的一种材料组成。

11.根据权利要求10所述的平面化方法，其中所述绝缘层为LTO层，并且第二次反应离子刻蚀采用的刻蚀气体为三氟甲烷、四氟化碳、氩气的混合气体。