[发明专利]用于集成替换金属栅极结构的方法

权利要求书

1.一种用于集成替换金属栅极结构的方法，包括：

提供包括包含n-型栅极材料的第一晶体管结构和包含p-型栅极材料的第二晶体管结构的衬底；

选择性地去除n-型栅极材料以在第一栅极结构中形成凹进，其中所述n-型栅极材料和所述p-型栅极材料都暴露于选择性地去除处理；以及

用n-型金属栅极材料填充该凹进；

其中选择性地去除n-型栅极材料包括：通过用去离子水中约百分之2至约百分之30的氢氧化铵的混合物湿法蚀刻n-型栅极材料以及施加从约0.5MHz至约1.2MHz的超声降解，来选择性地去除n-型栅极材料。

2.如权利要求1的方法，其中提供包括包含n-型栅极材料的第一晶体管结构和包含p-型栅极材料的第二晶体管结构的衬底包括：提供包括包含n掺杂多晶硅栅极材料的NMOS晶体管结构和包含p掺杂多晶硅栅极材料的PMOS晶体管结构的衬底。

3.如权利要求2的方法，其中提供包括包含n掺杂多晶硅栅极材料的NMOS晶体管结构和包含p掺杂多晶硅栅极材料的PMOS晶体管结构的衬底包括：提供包括包含n掺杂多晶硅栅极材料的NMOS晶体管结构和包含p掺杂多晶硅栅极的PMOS晶体管结构的衬底，其中PMOS晶体管结构包括包含硅锗合金的源区和漏区。

4.如权利要求1的方法，其中用去离子水中约百分之10至约百分之20的氢氧化铵的混合物湿法蚀刻n-型栅极材料包括：在从约10摄氏度至约40摄氏度的温度下，用去离子水中约百分之10至约百分之20的氢氧化铵的混合物湿法蚀刻n-型栅极材料。

5.如权利要求1的方法，其中选择性地去除n-型栅极材料包括：用去离子水中约百分之15至约百分之30的氢氧化四甲铵的混合物湿法蚀刻n-型栅极材料以及施加从约0.8MHz至约1.2MHz的超声降解。

6.如权利要求5的方法，其中用去离子水中约百分之15至约百分之30的氢氧化四甲铵的混合物湿法蚀刻n-型栅极材料包括：在从约60摄氏度至约90摄氏度的温度下，用去离子水中约百分之15至约百分之30的氢氧化四甲铵的混合物湿法蚀刻n-型栅极材料。

7.如权利要求1的方法，其中选择性地去除n-型栅极材料包括：选择性地去除n-型栅极材料且没有实质上去除p-型栅极材料。

8.如权利要求1的方法，其中选择性地去除n-型栅极材料以在第一栅极结构中形成凹进进一步包括：选择性地去除设置在n-型栅极材料下面的第一栅极介电层。

9.如权利要求8的方法，其中选择性地去除设置在n-型栅极材料下面的第一栅极介电层进一步包括：在凹进内形成第二栅极介电层。

10.如权利要求9的方法，其中在凹进内形成第二栅极介电层包括：在该凹进内形成高k栅极介电层。

11.如权利要求9的方法，其中选择性地去除设置在n-型栅极材料下面的第一栅极介电层进一步包括：在凹进内形成选自包括氧化铪、氧化锆、氧化钛和氧化铝和/或其组合的组的高k栅极介电层。

12.如权利要求1的方法，其中用n-型金属栅极材料填充凹进包括：用选自包括铪、锆、钛、钽和铝和/或其组合的组中的金属栅极材料填充该凹进。

13.一种形成微电子结构的方法，包括：

提供包括包含n-型多晶硅栅极材料的n-型晶体管结构和包含p-型多晶硅栅极材料的p-型晶体管结构的衬底，其中第一介电层设置在n-型和p-型栅极结构的上方；

去除第一介电层的一部分以便暴露出n-型多晶硅栅极材料；

选择性地去除n-型多晶硅栅极材料以形成凹进，其中所述n-型栅极材料和所述p-型栅极材料都暴露于选择性地去除处理；以及

用n-型金属栅极材料填充该凹进；

其中选择性地去除n-型栅极材料包括：通过用去离子水中约百分之2至约百分之30的氢氧化铵的混合物湿法蚀刻n-型栅极材料以及施加从约0.5MHz至约1.2MHz的超声降解，来选择性地去除n-型栅极材料。

14.如权利要求13的方法，其中用n-型金属栅极材料填充该凹进进一步包括：在n-型金属栅极材料上形成第二介电层。