[发明专利]一种微惯性开关芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种微惯性开关芯片，其特征在于：所述的微惯性开关芯片中的玻璃封帽、硅管芯、硅框架和玻璃基底依次连接形成一个封闭体系；在硅管芯内部设置有感知惯性加速度的方形质量块，在方形质量块的一对对角顶点设置有两根结构相同的、环绕方形质量块的、位于方形质量块厚度方向中心平面的平面矩形螺旋梁；方形质量块的底面设置有用于导电的金属层；硅框架用于形成方形质量块和玻璃基底的初始间距；玻璃基底上设置有两个金属电极。

2.根据权利要求1所述的微惯性开关，其特征是：所述的硅框架与硅管芯设置在同一个硅基片上。

3.根据权利要求1所述的微惯性开关，其特征是：所述的玻璃封帽采用硅封帽替代。

4.根据权利要求1所述的微惯性开关，其特征是：所述的硅框架采用玻璃框架替代。

5.根据权利要求1所述的微惯性开关，其特征是：所述的玻璃基底采用硅基底替代。

6.用于权利要求1所述的微惯性开关芯片的制备方法，其特征在于，依次包括下列步骤：

（a）在硅片上光刻出图形，然后采用KOH溶液腐蚀方法腐蚀形成方形质量块；

（b）在KOH溶液腐蚀形成的深槽里光刻出图形，然后采用ICP刻蚀方法形成平面矩形螺旋梁结构；

（c）采用剥离方法在方形质量块底面上形成一金属层；

（d）采用ICP刻蚀方法刻蚀穿通硅片，形成硅管芯；

（e）将玻璃封帽和硅管芯、硅框架和玻璃基底分别进行阳极键合，然后将硅管芯和硅框架进行共晶键合，形成微惯性开关芯片。

7.根据权利要求6所述的微惯性开关芯片的制备方法，其特征是：所述步骤（a）中硅片为双埋层SOI硅片。

8.根据权利要求6所述的微惯性开关芯片的制备方法，其特征是：所述步骤（a）中KOH溶液腐蚀方法采用ICP刻蚀方法替代。

9.根据权利要求6所述的微惯性开关芯片的制备方法，其特征是：所述步骤（d）中ICP刻蚀方法采用KOH溶液腐蚀方法替代。

10.根据权利要求6所述的微惯性开关芯片的制备方法，其特征是：所述步骤（e）中硅管芯和硅框架的共晶键合采用熔融键合方式替代。