[发明专利]耗尽型MOS管电阻器及其形成方法

权利要求书

1.一种耗尽型MOS管电阻器，至少包括：

衬底；

第一电阻器，包括第一电阻体层、第一介质层、第一极板层、第一甲引出端及第一乙引出端，该第一电阻体层、该第一介质层及该第一极板层依次堆叠在该衬底上，该第一甲引出端与该第一乙引出端布置在该第一电阻体层的两侧；以及

第二电阻器，包括第二电阻体层、第二介质层、第二极板层、第二甲引出端及第二乙引出端，该第二电阻体层、该第二介质层及该第二极板层依次堆叠在该衬底上，该第二甲引出端与该第二乙引出端布置在该第二电阻体层的两侧，

其中，该第一电阻器与该第二电阻器以反串联方式电连接。

2.如权利要求1所述的耗尽型MOS管电阻器，其特征在于：该第一乙引出端、该第二乙引出端、该第一极板层及该第二极板层电连接在一起。

3.如权利要求1所述的耗尽型MOS管电阻器，其特征在于：该第一乙引出端电连接至该第二乙引出端，该第一极板层电连接至该第一甲引出端，该第二极板层电连接至该第二甲引出端。

4.如权利要求2或3所述的耗尽型MOS管电阻器，其特征在于：该第一甲引出端连接至电压端子，该第二甲引出端连接到接地端子。

5.如权利要求4所述的耗尽型MOS管电阻器，其特征在于：该第一乙引出端与该第二乙引出端为共同引出端，布置在该第一电阻体层与该第二电阻体层之间。

6.如权利要求4所述的耗尽型MOS管电阻器，其特征在于：该第一甲引出端、该第一乙引出端、该第一电阻体层与该第二甲引出端、该第二乙引出端、该第二电阻体层由该衬底掺杂层相互隔离的两部分构成。

7.如权利要求4所述的耗尽型MOS管电阻器，其特征在于：该第一极板层与该第二极板层由该衬底导电层的两部分构成。

8.如权利要求4所述的耗尽型MOS管电阻器，其特征在于：该第一介电层和该第二介电层由该衬底绝缘层的两部分构成。

9.如权利要求6所述的耗尽型MOS管电阻器，其特征在于：该第一甲引出端、该第一乙引出端、该第二甲引出端及该第二乙引出端由具备低电阻率的掺杂半导体形成。

10.如权利要求9所述的耗尽型MOS管电阻器，其特征在于：该第一电阻体层与该第二电阻体层由电阻率比该第一甲引出端大且同型的掺杂半导体形成。

11.如权利要求7所述的耗尽型MOS管电阻器，其特征在于：该第一极板层和该第二极板层包括掺杂的多晶硅、WXSiY层和金属层。

12.如权利要求8所述的耗尽型MOS管电阻器，其特征在于：该第一介质层和该第二介质层包括SiO2层、SixNy层、SixOyFz层、SixOyNz层和/或SixOyHz层。

13.如权利要求1所述的耗尽型MOS管电阻器，其特征在于：该第一电阻器与该第二电阻器对称反串联连接。

14.一种耗尽型MOS管电阻器，至少包括：

衬底；

第一电阻器，包括第一电阻体层、第一介质层、第一极板层、第一甲引出端及第一乙引出端，该第一电阻体层、该第一介质层及该第一极板层依次堆叠在该衬底上，该第一甲引出端与该第一乙引出端布置在该第一电阻体层的两侧；以及

第二电阻器，包括第二电阻体层、第二介质层、第二极板层、第二甲引出端及第二乙引出端，该第二电阻体层、该第二介质层及该第二极板层依次堆叠在该衬底上，该第二甲引出端与该第二乙引出端布置在该第二电阻体层的两侧，

其中，该第一电阻器与该第二电阻器以反并联方式电连接。。

15.如权利要求14所述的耗尽型MOS管电阻器，其特征在于：该第一甲引出端、该第二甲引出端以及该第一极板层电连接在一起；该第一乙引出端、该第二乙引出端以及该第二极板层电连接在一起。

16.如权利要求15所述的耗尽型MOS管电阻器，其特征在于：该第一电阻器的该第一甲引出端连接到电压端子，该第二电阻器的该第二甲引出端连接到接地端子。

17.如权利要求16所述的耗尽型MOS管电阻器，其特征在于：该第一甲引出端、该第一乙引出端、该第二甲引出端及该第二乙引出端由具备低电阻率的掺杂半导体形成。