[发明专利]发光器件、发光器件封装以及照明系统有效
| 申请号： | 201010579229.7 | 申请日： | 2010-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN102097552A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 尹浩相;沈相均 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/06 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 夏凯;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 器件 封装 以及 照明 系统 | ||
1.一种发光器件，包括：
第一导电类型半导体层；
有源层，所述有源层包括被交替地布置在所述第一导电类型半导体层上的阻挡层和阱层；以及
所述有源层上的第二导电类型半导体层，
其中，所述至少一个阱层包括具有1E11/cm2或者更大的密度的铟团簇。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述阱层包括具有InxAlyGa(1-x-y)N(0＜x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的材料。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述阱层的至少一个铟团簇具有20nm或者更小的尺寸。
4.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述阱层的铟团簇具有不规则的形状或者随机的形状。
5.根据权利要求2所述的发光器件，其中，所述铟团簇具有比所述至少一个阱层中的铟(In)组分更高的组分。
6.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述阱层中的铟组分是处于10％至20％的范围内。
7.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述阱层具有至少3nm的厚度。
8.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述有源层的表面上的缺陷密度比所述第一导电类型半导体层的表面上的缺陷密度低。
9.根据权利要求8所述的发光器件，其中，所述有源层的表面上的所述缺陷密度是1E8/cm2或者更小。
10.根据权利要求8所述的发光器件，其中，所述有源层的最上边的层是第一阻挡层，并且从所述第一阻挡层的表面获得所述有源层的缺陷密度。
11.根据权利要求8所述的发光器件，进一步包括在所述有源层和所述第二导电类型半导体层之间的第二导电缓冲层，其中，所述第二导电缓冲层包括InAlGaN或者AlGaN。
12.根据权利要求8所述的发光器件，进一步包括在所述第二导电类型半导体层上的第三导电类型半导体层，其中，所述第三导电类型半导体层具有与所述第二导电类型半导体层的极性相反的极性。
13.根据权利要求8所述的发光器件，其中，所述至少一个阱层具有3nm至4nm的厚度，所述厚度比所述阻挡层的厚度薄。
14.根据权利要求8所述的发光器件，其中，与所述第二导电类型半导体层相比离所述第一导电类型半导体层更近的所述阻挡层包括n型掺杂物。
15.根据权利要求8所述的发光器件，其中，与所述第一导电类型半导体层相比较离所述第二导电类型半导体层更近的所述阻挡层的缺陷密度比与所述第二导电类型半导体层相比较离所述第一导电类型半导体层更近的所述阻挡层的缺陷密度低。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG伊诺特有限公司，未经LG伊诺特有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010579229.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种可升降且带有储藏柜的双层床
- 下一篇：一种逆变器
