[发明专利]用于GaN功率器件的对位标记的制作方法

权利要求书

1.一种用于GaN功率器件对位标记的制作方法，其特征在于包括下述步骤：

①利用高温合金工艺前的任一工艺在GaN基片上制作出一次金属对位标记；

②利用所述一次金属对位标记在GaN基片上制作二次金属对位标记；

③将GaN基片在800℃-1000℃进行高温合金工艺；

所述二次金属对位标记的金属层从GaN基片往上依次为钛层、铂层和金层，或者为钛层、钼层和金层。

2.根据权利要求１所述的用于GaN功率器件对位标记的制作方法，其特征在于所述一次金属对位标记的金属层从GaN基片往上为钛层、铝层、镍层和金层。

3.根据权利要求2所述的用于GaN功率器件对位标记的制作方法，其特征在于步骤②中所述二次金属对位标记的制作步骤：

a、利用所述一次金属对位标记，采用非接触光刻工艺在GaN基片上制作二次金属对位标记的光刻图形；

b、采用电子束蒸发镀膜工艺在步骤a中所述的光刻图形上蒸镀金属。

4.根据权利要求2所述的用于GaN功率器件对位标记，其特征在于包括位于GaN基片上的一次金属对位标记和二次金属对位标记，所述一次金属对位标记的金属与所述GaN功率器件的漏源金属相同；所述二次金属对位标记的金属层为钛层、铂层和金层，或者为钛层、钼层和金层。