[发明专利]喷头及用于制造具有该喷头的半导体基板的装置

权利要求书

1.一种喷头，所述喷头包括：

上台板，所述上台板具有多个在所述上台板上形成的第一上部气体路径；

中台板，所述中台板具有多个第一下部气体路径和多个第二气体路径，所述多个第一下部气体路径处于对应于所述第一上部气体路径的位置处，所述多个第二气体路径具有并不妨碍所述第一下部气体路径的结构，并且所述第一上部气体路径的下端安装在所述中台板上；以及

下台板，所述下台板具有多个通孔，所述通孔在对应于所述第一下部气体路径和所述第二气体路径的位置处形成在所述下台板中，并且所述第一下部气体路径的下端和所述第二气体路径的下端安装在所述下台板上。

2.如权利要求1所述的喷头，所述喷头进一步包括：

垫片，所述垫片设置在所述中台板上并具有在对应于所述第一下部气体路径和所述第二气体路径的位置处形成的通孔。

3.如权利要求2所述的喷头，其中，

所述垫片进一步具有安装孔，所述第一上部气体路径的下端安装在所述安装孔中。

4.如权利要求1所述的喷头，其中，

在所述中台板的顶面中形成有所述第一上部气体路径的下端安装在其上的安装孔，并且

在所述下台板的顶面中形成有所述第一下部气体路径的下端和所述第二气体路径的下端安装在其上的安装孔。

5.如权利要求4所述的喷头，其中，

所述中台板的安装孔和所述下台板的安装孔中设置有密封构件。

6.一种用于制造半导体基板的装置，所述装置包括：

如权利要求1至5中任一项所述的喷头；

壳体，所述壳体保持所述喷头；

第一进气口和第二进气口，所述第一进气口和所述第二进气口被分别形成为连接于第一气室和第二气室；

冷却剂入口和冷却剂出口，所述冷却剂入口和所述冷却剂出口被形成为连接于冷却室；

反应室，所述反应室形成在所述喷头的下方；以及

基板架，所述基板架支撑基板，从而将所述基板定位在所述反应室内，通过使第一气体与第二气体起反应而在所述基板上形成有沉积层。