[发明专利]一种在微内存系统上实现小页NANDFLASH虚拟大页的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种嵌入式系统存储器的处理方法，具体来说涉及一种在微内存系统上实现小页NANDFLAH虚拟大页的方法。

背景技术

当前各类嵌入式系统开发设计中，存储模块是不可或缺的重要部件。其中的flash存储器作为一种安全、快速的存储体，具有体积小、容量大、成本低、掉电数据不丢失等一系列优点。目前已经逐步取代其它半导体存储元件，成为嵌入式系统中数据和程序的主要载体。

Nandflash技术发展迅猛，不同厂商的Nandflash产品系列都在不断地推陈出新。就同一系列的NANDFLASH升级而言，有M代、A代、B代……之分，如三星的K9G4G08X0M、K9G4G08X0A和K9G4G08X0B；就纳米生产工艺而言，有70nm、52nm、34nm、32nm……之分，nm数越小表示厂商的生产工艺越精密。就block的变化而言，有16KB、128KB、256KB、512KB、1MB、2MB之分；就page的变化而言，有512B、2KB、4KB、8KB之分。Block和page越大，一般也代表了生产工艺越先进。

在纷繁的nandflash产品系列中，最早出现的page为512B、block为16KB的nandflash被称为small page nandflash（即小页nandflash），已经逐渐淡出市场。但市面上还是有少量存货，或一些旧的电子产品拆卸下来的旧Nandflash中也有这类小页nandflash。而除小页nandflash外，其他nandflash不管其为SLC（single level cell，单级单元）或MLC（multi level cell，多级单元）型的nandflash，统称为大页nandflash。

对于这些微内存软件系统，需要在有限的内存资源下，支持各种各样的nandflash，其中就包括小页nandflash。但目前尚无较好的方法实现微内存软硬件方案上对小页nandflash进行的特殊处理。在各种普遍的方案中，都是把此类nandflash当作标准的小页nandflash来使用。

现有技术按照常规方式来使用小页nandflash，但此方式对于微内存系统来说，有如下缺点：第一：大小页nand驱动集成在一起，占用内存较多；第二：小页nandflash的一个页只有512B，不方便微内存系统进行内存换页操作和读取资源操作；第三：小页nandflash的一个块只有16KB，因此同等容量中，小页的nandflash要比大页的nandflash的块数要多得多，这给微内存系统的块映射表带来更大的内存负荷。

发明内容

本发明的目的在于提供一种在微内存系统上实现小页NANDFLAH虚拟大页的方法，该方法能够把非主流的小页Nandflash当作主流的大页Nandflash来使用，大大降低上层调用的复杂度；同时，针对内存极为紧张的微内存系统，大幅减少对小页Nandflash管理所占用的内存空间。

本发明的目的可通过以下的技术措施来实现：

一种在微内存系统上实现小页NANDFLAH虚拟大页的方法，首先，将系统中的大页NANDFLASH驱动和小页NANDFLASH驱动分开；再将系统中物理小页虚拟成为逻辑大页、将物理小块虚拟成为逻辑大块。

所述微内存系统中的大、小页NANDFLASH驱动通过宏分开。

所述小页NANDFLASH系统中每个物理小块包含32个物理小页、每个物理小页的大小为512B。

所述每个虚拟的逻辑大页中包括8个物理小页。

所述每个虚拟的逻辑大块中包括16个物理小块。

所述小页NANDFLAH中的读写一个逻辑大页的过程分解为读写若干物理小页。

所述小页NANDFLAH中的擦除一个逻辑大块的过程分解为擦除若干物理小块。

本发明方法具有以下有益效果：首先，本方法把非主流的小页Nandflash当作主流的大页Nandflash来使用，大大降低上层调用的复杂度，节省系统调用所占用的资源；第二：针对内存极为紧张的微内存系统，大幅减少对小页Nandflash管理所占用的内存空间，并对上层应用透明；第三，本发明方法可应用于多媒体应用处理芯片的一整套针对中低端MP3、MP4、录音笔、点读笔及点读机等产品的系统开发平台。

附图说明

图1是本发明方法中将一个逻辑大页划分成多个物理小页的组成结构示意图；

图2是本发明方法中读写一个逻辑大页时的读写逻辑示意图；