[发明专利]晶体管的制作方法

权利要求书

1.一种晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成牺牲层，所述牺牲层利用沉积工艺形成；

在所述牺牲层上形成伪栅极；

在所述伪栅极和牺牲层两侧的半导体衬底内形成源区和漏区；

形成与所述伪栅极齐平的层间介质层，所述层间介质层覆盖所述源区和漏区；

去除所述伪栅极和牺牲层，在所述层间介质层内形成露出所述半导体衬底的沟槽；

在所述沟槽底部形成栅介质层；

在所述沟槽侧壁和底部形成高K介质层；

在所述高K介质层上形成金属栅极，所述金属栅极填充满所述沟槽且与所述层间介质层齐平。

2.如权利要求1所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述牺牲层与所述层间介质层的刻蚀选择比为1/2～2/1。

3.如权利要求2所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述牺牲层的材质为氧化硅，所述沉积工艺为原子层沉积工艺、低压化学气相沉积工艺、亚常压化学气相沉积工艺。

4.如权利要求1所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述牺牲层的厚度范围为5～50埃。

5.如权利要求1所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述牺牲层的去除方法为湿法刻蚀的方法。

6.如权利要求5所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述湿法刻蚀的溶液采用氢氟酸与水的混合溶液进行，所述氢氟酸与水的质量比例为1/300～1/600，所述湿法刻蚀的工艺时间为30秒～5分钟。

7.如权利要求1所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述栅介质层利用化学氧化工艺制作，所述化学氧化工艺的温度小于300摄氏度。

8.如权利要求7所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述化学氧化工艺利用臭氧与水的混合溶液进行，其中臭氧的质量浓度范围为1～50ppm，所述化学氧化工艺为将所述半导体衬底浸泡于所述混合溶液中1～500秒，所述化学氧化工艺的温度小于100摄氏度。

9.如权利要求7所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述化学氧化工艺利用硫酸和双氧水的混合溶液进行，其中所述硫酸与双氧水的质量比例范围为3/1～7/1，所述化学氧化工艺为将所述半导体衬底浸泡于所述混合溶液中1～500秒，所述混合溶液的温度不超过300摄氏度。

10.如权利要求7所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述化学氧化工艺利用氨水、双氧水和水的混合溶液进行，其中所述水与氨水的质量比例为40/1～60/1，所述水与双氧水的质量比例为20/1～40/1，所述化学氧化工艺为将所述半导体衬底浸泡于所述混合溶液中1～500秒，所述混合溶液的温度小于100摄氏度。