[发明专利]MOSFET制造方法及MOSFET

权利要求书

1.一种MOSFET制造方法，其特征在于：

在外延层表面上形成栅氧化层和多晶硅栅；

在外延层表面内形成源区；

进行源区氧化，在源区表面上多晶硅栅和源区之间的空隙中，形成氧化物。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在外延层表面内形成源区之后，进行源区氧化之前，还包括：

将半导体晶片进行退火。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：

半导体晶片进行退火时的温度为800～900摄氏度，退火持续时间为14～16分钟。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：

采用热氧化生长工艺进行源区氧化，持续时间为14～16分钟，源区表面上形成的氧化物厚度为栅氧化层厚度的1至3倍。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：

在源区形成之前，还包括：

在所述多晶硅栅两侧，通过离子注入和杂质推阱，形成体区；

所述源区形成于所述体区内。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成栅氧化层和多晶硅层之前，还包括：

在半导体晶片的外延层表面上形成氧化物保护层；

通过光刻工艺在氧化物保护层形成导电保护区域图形；

在导电保护区域离子注入、杂质推阱，形成阱区；

去除氧化物保护层。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在去除氧化物保护层之后，还包括：

氧化半导体晶片的外延层表面；

在外延层表面上的氧化物中光刻形成有源区图形；

腐蚀去除外延层表面上的氧化物。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成源区之后，还包括：

在半导体晶片外延层表面上形成介质层；

在介质层中分别形成通向栅区、源区的接触孔；

在所述接触孔进行金属化，得到栅极、源极；

在半导体晶片衬底背面形成漏极。

9.一种MOSFET，包括外延层、形成于外延层表面内的源区、形成于外延层表面上的栅氧化层和多晶硅栅，其特征在于：

在所述MOSFET的源区表面上，多晶硅栅和源区之间的空隙中，设置有采用热氧化生长工艺形成的氧化层。

10.根据权利要求9所述的MOSFET，其特征在于：

所述氧化层的厚度为栅氧化层厚度的1～3倍。