[发明专利]一种高致密氧化镁陶瓷的制备方法

权利要求书

1.一种高致密氧化镁陶瓷的制备方法，其特征在于，它是通过下述工艺步骤实现的：

第一步，对高纯氧化镁粉体进行预烧处理；

所述预烧处理的温度为：1200℃-1600℃，预烧处理的时间为10-120min；

第二步，配制凝胶注模用单体溶液，以丙烯酰胺为单体，以N，N’-亚甲基双丙烯酰胺为交联剂，以聚丙烯酰胺或柠檬酸铵作为分散剂，以去离子水为分散介质，混合成为单体溶液；

所述单体溶液，其各成分的质量百分比为：单体5％-15％，交联剂0.25％-1.5％，分散剂0.4％-4％，分散介质79.5％-94.35％；

第三步，将高纯度氧化镁陶瓷粉体加到第一步中得到的单体溶液中，通过球磨将各成分混合均匀，得到稳定的浆料；

第四步，在第三步中得到的浆料中加入过硫酸铵和四甲基乙二胺分别作为引发剂和催化剂，将浆料进行搅拌混合，同时抽真空除去浆料中的空气，待气泡完全消除后，将氧化镁陶瓷浆料从模具的浇口浇入，转移模具到烘箱中保温，直到浆料中的单体与交联剂聚合形成凝胶网络，将模具连同里面的氧化镁陶瓷素坯在室温下自然冷却，然后脱模，得到陶瓷素坯，将素坯干燥；

第五步，将第四步中得到的陶瓷素坯进行烧结，得到高致密的氧化镁陶瓷制品。

2.根据权利要求1所述的高致密氧化镁陶瓷的制备方法，其特征是，第三步中，所述浆料，其各成分的质量百分比为：氧化镁陶瓷粉70％-90％，单体溶液10％-30％。

3.根据权利要求1所述的高致密氧化镁陶瓷的制备方法，其特征是，第四步中，所述保温，其温度为40℃-100℃。

4.根据权利要求1所述的高致密氧化镁陶瓷的制备方法，其特征是，所述引发剂的加入量为0.05％-0.2％，催化剂的加入量为0.05％-0.2％，此处加入量均是相对于第三步中浆料的质量百分比。

5.根据权利要求1所述的高致密氧化镁陶瓷的制备方法，其特征是，所述将素坯干燥，是指：将素坯在湿度为85％以上的空气中于常温干燥，直到素坯体积恒定，然后将素坯分别在40、60、80和100℃条件下于空气中再干燥，每个温度条件下干燥时间为2-4小时。

6.根据权利要求1所述的高致密氧化镁陶瓷的制备方法，其特征是，所述烧结，具体为：从室温以1℃/min-5℃/min的速度升温至400℃，保温1-4小时，然后以5℃/min-10℃/min的速度升温至1600℃-1800℃，保温1-4小时。