[发明专利]形成可变电阻存储器件的方法

权利要求书

1.一种形成可变电阻存储器件的方法，包括：

形成加热电极；

在该加热电极上形成可变电阻材料层；以及

在该可变电阻材料层上形成顶电极，

其中该加热电极包括金属的氮化物，所述金属的原子半径大于钛的原子半径，且所述加热电极通过热化学气相沉积方法形成而没有使用等离子体。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述加热电极的金属具有在约68pm和约108pm之间的离子半径。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述金属的氮化物中的所述金属包括Ta、Zr、Dy和Nb之一。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述加热电极具有大于约5000μΩ·cm的电阻率。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述热化学气相沉积方法使用第一反应气体和第二气体并在约100℃至约550℃的温度下进行该第一反应气体与该第二气体的反应，该第一反应气体包括钽卤化物衍生物和钽胺衍生物中的至少一种，该第二气体包括H₂、NH₃、SiH₄和Si₂H₆中的至少一种。

6.如权利要求1所述的方法，其中形成所述可变电阻材料层包括在所述加热电极上形成具有第一体积的第一相变材料和在该第一相变材料上形成具有第二体积的第二相变材料，其中该第二体积大于该第一体积。

7.一种形成可变电阻存储器件的方法，包括：

形成加热电极；

在该加热电极上形成可变电阻材料层；以及

在该可变电阻材料层上形成顶电极，

其中该加热电极包括金属的氮化物，所述金属的原子半径大于钛的原子半径，且所述加热电极具有大于约5000μΩ·cm的电阻率。

8.如权利要求7所述的方法，其中所述可变电阻材料层配置为关于单位单元储存至少2位的电阻状态。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述可变电阻材料层包括在非晶态具有不同电阻值的至少两个相变材料层。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述不同的两个以上相变材料层具有不同的体积。