[发明专利]图案化基板及其构成的发光二极管

权利要求书

1.一种图案化基板，用于磊晶制作发光二极管，包含：一个顶面，其特征在于：还包含数个围绕面、数个基面，及数个凸柱，所述围绕面由该顶面间隔排列地往下延伸，所述基面分别连接所述围绕面的底缘，每一基面及每一围绕面相配合界定出一凹槽，所述凸柱分别由所述基面往上延伸。

2.根据权利要求1所述的图案化基板，其特征在于：每一基面的最大外径是2微米～7微米，且两相邻凹槽中心的间距是2微米～7微米。

3.根据权利要求2所述的图案化基板，其特征在于：每一凸柱的外径大于0微米且小于7微米，且任一凸柱外周面与对应的该围绕面形成间距。

4.根据权利要求3所述的图案化基板，其特征在于：每一凹槽的预定深度为0.5微米～5微米。

5.根据权利要求4所述的图案化基板，其特征在于：每一凸柱的预定高度小于每一凹槽的预定深度，且大于每一凹槽的预定深度的0.5倍。

6.根据权利要求5所述的图案化基板，其特征在于：该图案化基板是由蓝宝石所构成，该图案化基板的基面与顶面均是该蓝宝石的C面。

7.一种发光二极管，包含：一个图案化基板、一个磊晶层体，及一组电极单元，该图案化基板包括一个顶面，该磊晶层体自该图案化基板顶面磊晶形成，在供电时将电能转换为光能，该电极单元与该磊晶层体电连接，该电极单元接受外界的电能并将电能传送至该磊晶层体；其特征在于：该图案化基板还包括数个由该顶面往下延伸且间隔排列的围绕面、数个分别连接所述围绕面的底缘的基面，及数个分别由所述基面往上延伸的凸柱，每一围绕面及每一基面相配合界定出一凹槽。

8.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征在于：该图案化基板的每一基面的最大外径是2微米～7微米，且两相邻凹槽中心的间距是2微米～7微米。

9.根据权利要求8所述的发光二极管，其特征在于：该基板的每一凸柱的外径大于0微米且小于7微米，且任一凸柱外周面与对应的该围绕面形成间距。

10.根据权利要求9所述的发光二极管，其特征在于：该图案化基板的每一凹槽的预定深度为0.5微米～5微米。

11.如权利要求10所述的发光二极管，其特征在于：该图案化基板的每一凸柱的预定高度小于该基板的每一凹槽的预定深度，且大于每一凹槽的预定深度的0.5倍。

12.根据权利要求11所述的发光二极管，其特征在于：该图案化基板是由蓝宝石所构成，该图案化基板的基面及顶面均是该蓝宝石的C面，该磊晶层体是由一含有III族及V族元素的半导体化合物所构成。