[发明专利]磁记录介质及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种适于高记录密度的以离散轨道介质和位图案化介质为代表的图案化介质及其制造方法。

现有技术

在诸如大型计算机、工作站以及个人计算机的记录装置中所使用的磁盘设备在过去的这些年变得更加重要，并且发展成更大容量，实现了更小尺寸。增大密度对增大磁盘设备的容量并且使这些设备更紧凑是必要的。

可引用的增大密度的一个方法涉及降低由减少磁记录介质的磁化反向单元所引起的介质噪声。因此传统磁记录介质采用如下的结构：形成磁记录层的铁磁晶粒通过已包含在磁记录层之中的非磁性材料而分隔。

通过更为主动地控制这种分隔区域来增加磁记录密度的一个建议涉及离散轨道介质(DTM)的研究和开发，其中执行处理以提供记录轨道之间的分隔，以及位图介质(BPM)的研究和开发，其中执行处理以提供记录位之间的分隔，并且在这两种情况下，用于形成分隔区域的技术是增大密度的重要因素。

通过蚀刻等来对磁性膜进行物理处理的一种磁性膜处理已被提出作为用于制造DTM的方法。磁性膜处理的DTM通常是通过以下处理来制造的。(1)在记录层上提供金属薄膜并且涂覆抗蚀剂。(2)通过光刻技术等将微图案施加到抗蚀剂。(3)通过干法处理对抗蚀剂图案的凹部中的金属薄膜进行蚀刻，并且使记录层暴露。(4)通过干法处理对暴露的记录层进行蚀刻，并且形成记录轨道分隔部(凹槽)。(5)去除记录轨道(岸台)中的残留抗蚀剂和金属薄膜。(6)对凹槽区回填非磁性材料并且使其平坦化。(7)涂覆保护层和润滑层。当前执行各类研究和开发以便提高每个处理的精确性。

已提出了与回填和平坦化处理相关的各种制造方法，并且通常在其中使用氧化物、氮化物、碳化物以及硼化物。专利文献1提出了一种方法，其中分隔区域(separating region)包括：“诸如SiO₂、Al₂O₃、TiO₂的氧化物；诸如Si₃N₄、AlN、TiN的氮化物；诸如TiC的碳化物；以及诸如BN的硼化物；或者基于C、CH以及CF中的任何一个的聚合物”；此外，专利文献2提出了一种其中分隔区域包括：“诸如SiO₂、Al₂O₃、TiO₂的氧化物；诸如Si₃N₄、AlN、TiN的氮化物；诸如TiC的碳化物；以及诸如BN的硼化物；或者基于C、CH以及CF中的任何一个的聚合物”的方法。

此外，专利文献3提出了有关于由“C、Si、Ti、V、Cr、Ni、Cu、Ga、Y、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W以及Al的氮化物或者其合金”所代表的金属氮化物。

另外，专利文献4公开了下述回填材料，回填材料包括例如除了Al、Ti、Cr和Cr合金、NiTa、TiOx、Al₂O₃、Ru以及Ta之外的氧化物、氮化物以及硼化物，但是这不作为对实施例的效果或方式的参考。

现有技术文献

专利文献

[专利文献1]日本未审专利申请公布H9-97419

[专利文献2]日本未审专利申请公布2000-298822

[专利文献3]日本未审专利申请公布2009-080902

[专利文献4]日本未审专利申请公布2008-159146

发明内容

本发明要解决的问题

磁记录介质的记录区域(recording region)通常包括用于存储数据的数据轨道区域以及用于对数据轨道的位置进行控制的伺服区域。在诸如DTM的图案化介质中，数据轨道区域和伺服区域的记录区域已通过分隔区域(separating region)而被划分，但是伺服区域中的记录区域和分隔区域的尺寸和节距通常大于数据轨道区域。例如，在伺服区域中，存在或不存在铁磁层被用作“1”或“0”信息以对头部进行定位，并且当“0”继续时，形成没有铁磁层的区域(region)，并且铁磁层的各区(area)之间的距离增大。在伺服区域中，铁磁层的各区之间的宽度不是恒定的并且根据“0”的数目及其布置而混合多个宽度。

与数据轨道区域相比，较难对伺服区域进行回填并使其平坦化，并且研发人员的研究表明在伺服区域中有可能保持不平坦(阶梯或凹部)，并且最终这对磁头浮动特性具有不良影响。下述是发现的这种情况。