[发明专利]快速恢复二极管

权利要求书

1.一种快速恢复二极管(1)包括

具有阴极侧(21)和在所述阴极侧(21)相对侧的阳极侧(22)的n掺杂基极层(2)，

在所述阳极侧(22)上的p掺杂阳极层(5)，

所述阳极层(5)具有掺杂分布并且包括至少两个子层(51、52、53)，其设置平行于所述阳极侧(22)，其中

所述至少两个子层(51、52、53)包括第一子层(51)和末尾子层(52)，

所述第一子层(51)具有第一最大掺杂浓度(515)，其在2*10¹⁶cm^-3和2*10¹⁷cm^-3之间并且所述第一最大掺杂浓度高于所述至少两个子层(51、52、53)中的任何其他子层(52、53)的最大掺杂浓度，

具有末尾子层深度(520)的所述末尾子层(52)，所述末尾子层深度(520)大于任意其他子层深度(54、55)，其中所述末尾子层深度(520)在90至120μm之间，

其中所述阳极层(5)的掺杂分布下降使得在至少20μm的第一深度(54)和最大50μm的第二深度(55)之间达到5*10¹⁴cm^-3和1*10¹⁵cm^-3范围中的掺杂浓度，并且其中

所述至少两个子层(51、52、53)是铝扩散层。

2.如权利要求1所述的二极管(1)，特征在于，所述第一深度(54)是至少30μm。

3.如权利要求1或2所述的二极管(1)，特征在于，所述第二深度(55)是最大40μm。

4.如权利要求1至3中任一项所述的二极管(1)，特征在于，所述二极管(1)在所述阴极侧(21)具有比在所述阳极侧(22)更大的宽度。

5.如权利要求1至3中任一项所述的二极管(1)，特征在于，所述二极管(1)在所述阴极侧(21)具有比在所述阳极侧(22)更小的宽度。

6.如权利要求1至5中任一项所述的二极管(1)，特征在于，具有缺陷峰值的缺陷层(6)平行于所述阳极侧设置，在超过所述阳极层的掺杂浓度下降为低于1*10¹⁵cm^-3处深度并且小于所述第二深度(55)的深度中具有缺陷峰值。

7.用于制造快速恢复二极管(1)的方法，

所述方法包括下列制造步骤：

提供具有阴极侧(21)和在所述阴极侧(21)相对侧的阳极侧(22)的n掺杂晶片(23)，

在完成的二极管(1)中具有掺杂分布并且包括两个子层(51、52、53)的p掺杂阳极层(5)设置在所述阳极侧(22)上，

所述至少两个子层(51、52、53)包括至少第一子层(51)和末尾子层(52)，

并且每个子层(51、52、53)通过下列步骤形成：

在所述晶片(23)的所述阳极侧(22)上施加铝离子并且然后

将所述铝离子扩散进入晶片(23)，由此形成具有子层深度和最大掺杂浓度的所述子层(51、52、53)，其中所述第一子层(51)形成具有第一最大掺杂浓度(515)，其在2*10¹⁶cm^-3和2*10¹⁷cm^-3之间并且其高于任何其他子层(52、53)的最大掺杂浓度，

所述末尾子层(52)形成具有末尾子层深度(520)，其大于任何其他子层深度，其中所述末尾子层深度(520)在90至120μm之间，以及

所述至少两个子层(51、52、53)的掺杂浓度和子层深度选择使得所述阳极层(5)的掺杂分布在至少20μm的第一深度(54)和最大50μm的第二深度(55)之间下降到在5*10¹⁴cm^-3和1*10¹⁵cm^-3范围中的值。

8.如权利要求7所述的方法，特征在于

所述晶片(23)在所述阳极侧(22)上用离子辐照以便形成缺陷层(6)，

其中所述辐照能量选择为使得缺陷峰值设置在超过所述阳极层的掺杂浓度下降到低于1*10¹⁵cm^-3处深度并且小于所述第二深度(55)的深度中。