[发明专利]介质馈送设备和图像记录设备

说明书

技术领域

本发明涉及一种被构造成在将记录介质吸附到馈送构件的同时馈送该记录介质的介质馈送设备和图像记录设备。

背景技术

专利文献1(日本专利申请公报No.07-330185)公开了一种被构造成在将记录介质吸附到馈送构件的同时馈送记录介质的设备。在该设备中，馈送构件(片材馈送皮带)的馈送面上的记录介质通过使用被设置在馈送面的相反侧的电极被吸附到该馈送面。

发明内容

在上述吸附设备中，由于在馈送构件与电极的表面层构件之间积累有电荷，且因此在馈送构件与电极的表面层构件之间产生吸引力，该吸引力起到馈送构件的运动阻力的作用。为了解决该问题，具有低摩擦系数的材料被用于该吸收设备中的馈送构件和电极的表面层构件。然而，仅采用这种措施是不够的。

鉴于上述情形已开发出本发明，并且，本发明的目的是提供包括具有低运动阻力的馈送构件的介质馈送设备和图像记录设备。

上述目的可根据本发明来实现，本发明提供一种介质馈送设备，包括：馈送机构，所述馈送机构包括馈送构件，所述馈送构件具有介质放置表面，在所述介质放置表面上放置记录介质，所述馈送机构被构造成通过使所述馈送构件沿着预定路径移动来馈送被放置在所述馈送构件的所述介质放置表面上的所述记录介质；吸附单元，所述吸附单元包括第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极中的每一个电极具有与所述馈送构件的背面相面对的表面，所述背面是所述介质放置表面的相反侧的表面，所述吸附单元被构造成通过在所述第一电极和所述第二电极之间施加电压来将位于所述介质放置表面上的所述记录介质吸附到所述介质放置表面；第一表面层构件，所述第一表面层构件由具有比所述第一电极高的体积电阻率的材料形成，且被堆叠到所述第一电极的两个表面中的一个表面上，所述第一电极的所述一个表面比所述第一电极的所述两个相反表面中的另一个表面更靠近所述馈送构件的所述背面；第二表面层构件，所述第二表面层构件由具有比所述第二电极高的体积电阻率的材料形成，且被堆叠到所述第二电极的两个相反表面中的一个表面上，所述第二电极的所述一个表面比所述第二电极的所述两个相反表面中的另一个表面更靠近所述馈送构件的所述背面；第一低电阻构件，所述第一低电阻构件由具有比所述第一表面层构件低的体积电阻率的材料形成，并且被固定到所述第一表面层构件的表面中的与所述馈送构件的所述背面相面对的一个表面，处于所述第一表面层构件和所述馈送构件之间的位置；和第二低电阻构件，所述第二低电阻构件由具有比所述第二表面层构件低的体积电阻率的材料形成，并且被固定到所述第二表面层构件的表面中的与所述馈送构件的所述背面相面对的一个表面，处于所述第二表面层构件和所述馈送构件之间的位置，其中所述第一低电阻构件和所述第二低电阻构件被设置成彼此间隔开。

根据上述构造，由于设置了具有分别比第一和第二表面层构件低的体积电阻率的第一和第二低电阻构件，所以，与在不设置第一和第二低电阻构件的情况下的在(a)第一和第二表面层构件与(b)馈送构件之间的接触电阻相比，在(a)第一和第二低电阻构件与(b)馈送构件之间的接触电阻低。结果，(a)第一和第二低电阻构件与(b)馈送构件之间的电势差变小，从而抑制电荷在第一及第二低电阻构件与馈送构件之间堆积。因而，在吸附单元和馈送构件之间产生的吸引力被抑制，从而降低了馈送构件的运动阻力。

所述介质馈送设备进一步包括中间构件，所述中间构件被设置在位于所述第一低电阻构件和所述第二低电阻构件之间的位置。所述第一低电阻构件、所述第二低电阻构件和所述中间构件被设置成使得所述第一低电阻构件的与所述馈送构件的所述背面相面对的表面、所述第二低电阻构件的与所述馈送构件的所述背面相面对的表面、以及所述中间构件的两个相反表面中的与所述馈送构件的所述背面相面对的一个表面在一个平面内。

根据上述构造，中间构件被设置在第一低电阻构件和第二低电阻构件之间的位置。此外，第一低电阻构件的与馈送构件的背面相面对的表面、第二低电阻构件的与馈送构件的背面相面对的表面、以及中间构件的与馈送构件的背面相面对的表面在一个平面内。因此，由于第一和第二低电阻构件的表面和中间构件的表面是平坦的，馈送构件能够沿第一和第二低电阻构件平稳地移动。

在所述介质馈送设备中，作为至少一个未形成区域的至少一个贯穿区域被形成为沿所述第一低电阻构件和所述第二低电阻构件中的至少一个低电阻构件的厚度方向贯穿该低电阻构件，所述未形成区域是既没形成所述第一低电阻构件也没形成所述第二低电阻构件的区域。