[发明专利]半导体结构及其制造方法、制备含气隙图案的光罩的方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

一第一含金属层，包括：

一组金属结构；

一介电材料填充物，其占据该第一含金属层的一部分；以及

一气隙区域，由至少该组金属结构和该介电材料填充物所界定，且紧邻该组金属结构的至少一部分；

一介电材料帽盖层，形成于该第一含金属层的上方；

一第二含金属层，形成于该介电材料帽盖层的上方，该第二含金属层包括一介层窗插塞，该介层窗插塞电性连接至该组金属结构的一部分，且该介层窗插塞与该气隙区域不重叠；以及

一导电垫，形成于该第二含金属层的上方，且与该气隙区域不重叠。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该介电材料帽盖层的下表面限定该气隙区域的顶界，该顶界具有一基本平坦的剖面。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该气隙区域和该导电垫相隔至少一第一最小水平间距，该第一最小水平间距介于10nm和20μm之间。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该气隙区域和该介层窗插塞相隔至少一第二最小水平间距，该第二最小水平间距介于0nm和50nm之间。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：一金属覆盖层，位于该组金属结构和该介电材料帽盖层之间，且该金属覆盖层包括钴钨磷化物。

6.一种制造半导体结构的方法，其特征在于，包括：

从一第一含金属层移除一介电材料填充物的一部分，以便根据一预定的气隙图案来界定一气隙区域，该第一含金属层形成于一半导体基材的上方；

用一热分解聚合物来填充该气隙区域；

形成一介电材料帽盖层于该第一含金属层的上方；以及

分解该热分解聚合物。

7.根据权利要求6所述的制造半导体结构的方法，其特征在于，还包括：选择性地形成一金属覆盖层于该第一含金属层的一组金属结构上。

8.根据权利要求6所述的制造半导体结构的方法，其特征在于，填充该热分解聚合物的步骤包括：

实施一旋转涂布，以将一热分解聚合物材料涂敷在该半导体基材上面；

固化该热分解聚合物材料；以及

平坦化该热分解聚合物材料。

9.一种制备含有气隙图案的光罩的方法，其特征在于，用于形成半导体组件的气隙区域，该方法包括：

布设一垫图案，以对应于该半导体组件上将要形成的一组导电垫；

布设一金属结构图案，以对应于该半导体组件的一第一含金属层中将要形成的一组金属结构；

布设一介层窗图案，以对应于该半导体组件的一第二含金属层中将要形成的一组介层窗插塞；以及

根据该垫图案、该介层窗图案和该金属结构图案得到该气隙图案。

10.根据权利要求9所述的制备含有气隙图案的光罩的方法，其特征在于，根据该垫图案、该介层窗图案和该金属结构图案得到该气隙图案的步骤包括：

以一第一距离向外延展该垫图案的外周，得到一扩展的垫图案；

以一第二距离向外延展该介层窗图案的外周，得到一扩展的介层窗图案；以及

重叠和倒置该扩展的垫图案、该扩展的介层窗图案以及该金属结构图案，以得到该气隙图案。