[发明专利]提升单芯片双卡手机接通率的系统及方法无效
| 申请号: | 201010539940.X | 申请日: | 2010-11-11 |
| 公开(公告)号: | CN102469426A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
| 发明(设计)人: | 黄飞 | 申请(专利权)人: | 深圳富泰宏精密工业有限公司;奇美通讯股份有限公司 |
| 主分类号: | H04W4/16 | 分类号: | H04W4/16;H04W88/02;H04W88/06 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 提升 芯片 手机 接通 系统 方法 | ||
1.一种提升单芯片双卡手机接通率的系统,该单芯片双卡手机包括第一SIM卡及第二SIM卡,其特征在于,该系统包括:
设置模块,用于设置第一SIM卡的呼叫转移号码为第二SIM卡的MSISDN,以及设置第二SIM卡的呼叫转移号码为第一SIM卡的MSISDN;
启动模块,用于启动第一SIM卡及第二SIM卡的不可及转移功能。
2.如权利要求1所述的提升单芯片双卡手机接通率的系统,其特征在于,该系统还包括:
判断模块,用于判断第一SIM卡及第二SIM卡是否已设置MSISDN;
所述设置模块还用于当第一SIM卡或第二SIM卡未设置MSISDN时,设置第一SIM卡或第二SIM卡的MSISDN。
3.如权利要求1所述的提升单芯片双卡手机接通率的系统,其特征在于,所述不可及转移功能在当其中一张SIM卡正在使用中时,如果另一张SIM卡有电话呼入,会将该呼入的电话转接到正在使用的SIM卡上。
4.一种提升单芯片双卡手机接通率的方法,该单芯片双卡手机包括第一SIM卡及第二SIM卡,其特征在于,该方法包括:
设置步骤:设置第一SIM卡的呼叫转移号码为第二SIM卡的MSISDN,以及设置第二SIM卡的呼叫转移号码为第一SIM卡的MSISDN;
启动步骤:启动第一SIM卡及第二SIM卡的不可及转移功能。
5.如权利要求4所述的提升单芯片双卡手机接通率的方法,其特征在于,该方法在所述设置步骤之前还包括步骤:
判断第一SIM卡及第二SIM卡是否已设置MSISDN;
当第一SIM卡或第二SIM卡未设置MSISDN时,设置第一SIM卡或第二SIM卡的MSISDN;
当第一SIM卡及第二SIM卡都已设置MSISDN时,执行所述设置步骤。
6.如权利要求4所述的提升单芯片双卡手机接通率的方法,其特征在于,启动不可及转移功能之后,当其中一张SIM卡正在使用中时,如果另一张SIM卡有电话呼入,该呼入的电话会被转接到正在使用的SIM卡上。
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