[发明专利]塑料表面电磁屏蔽处理方法及其制品

权利要求书

1.一种塑料表面电磁屏蔽处理方法，其包括如下步骤：

提供塑料基体；

采用射频等离子镀膜法，于所述塑料基体上形成过渡层，所述过渡层为SiO₂层；

依次于所述过渡层上形成电磁屏蔽层及防护层。

2.如权利要求1所述的塑料表面电磁屏蔽处理方法，其特征在于：形成所述过渡层的工艺参数为：采用二氧化硅靶为靶材，设置其电源功率为2～10kw，以氩气为工作气体，氩气的流量为100～300sccm，溅射温度为50～150℃。

3.如权利要求1所述的塑料表面电磁屏蔽处理方法，其特征在于：形成所述电磁屏蔽层的工艺参数为：选择Cu、Ag中的至少一种为靶材，设置该靶材电源功率为1～10kw，以氩气为工作气体，氩气流量为75～150sccm，溅射温度为50～150℃。

4.如权利要求1所述的塑料表面电磁屏蔽处理方法，其特征在于：形成所述防护层的工艺参数为：采用不锈钢靶为靶材，设置其电源功率为1～10kw，以氩气为工作气体，其流量为75～150sccm，溅射温度为50～150℃。

5.如权利要求1所述的塑料表面电磁屏蔽处理方法，其特征在于：所述塑料表面电磁屏蔽处理方法采用一连续真空镀膜机，在形成所述过渡层、电磁屏蔽层及防护层过程中，控制所述连续真空镀膜机的传动装置的传动速度为0.1～0.5m/s。

6.如权利要求1所述的塑料表面电磁屏蔽处理方法，其特征在于：所述塑料表面电磁屏蔽处理方法还包括在形成所述过渡层之前对塑料基体进行氩气等离子清洗的步骤。

7.一种塑料制品，该塑料制品包括塑料基体，其特征在于：该塑料制品还包括依次形成于该塑料基体上的过渡层、电磁屏蔽层及防护层，所述过渡层为SiO₂层。

8.如权利要求7所述的塑料制品，其特征在于：所述过渡层通过通过射频离子镀膜法形成，其厚度为0.8～1.2nm。

9.如权利要求7所述的塑料制品，其特征在于：所述电磁屏蔽层为金属层，其中所述金属选自为铜、银中的至少一种，其厚度为0.2～2.0μm。

10.如权利要求7所述的塑料制品，其特征在于：所述防护层为不锈钢层，其厚度为0.2～2.0μm。