[发明专利]低摩擦系数的碳化硅陶瓷密封件及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201010538042.2 申请日: 2010-11-09
公开(公告)号: CN102030533A 公开(公告)日: 2011-04-27
发明(设计)人: 杨辉;郭兴忠;张冬梅;郑志荣;高黎华 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: C04B35/565 分类号: C04B35/565;C04B35/622
代理公司: 杭州中成专利事务所有限公司 33212 代理人: 金祺
地址: 310027 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 摩擦系数 碳化硅 陶瓷 密封件 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.低摩擦系数的碳化硅陶瓷密封件,其特征是:所述密封件由主原料、作为粘结剂的聚乙烯醇和作为分散剂的四甲基氢氧化铵组成,所述主原料由以下重量含量的成分组成:65%~75%的碳化硅、5%~10%的氮化硼、5%~10%的氟化石墨、5~10%的二硫化钼和10%的钇铝石榴石;所述聚乙烯醇占主原料总重的2.5~3.5%,四甲基氢氧化铵占主原料总重的1.5~2.5%。

2.如权利要求1所述的低摩擦系数的碳化硅陶瓷密封件的制备方法,其特征是依次包括以下步骤:

1)、以重量百分含量为65%~75%的碳化硅、5%~10%的氮化硼、5%~10%的氟化石墨、5~10%的二硫化钼和10%的钇铝石榴石组成主原料;将主原料、聚乙烯醇、四甲基氢氧化铵和去离子水进行球磨混合,配制成固相含量为40%~60%的浆料;

所述聚乙烯醇占主原料总重的2.5~3.5%,四甲基氢氧化铵占主原料总重的1.5~2.5%。

2)、对所述浆料进行喷雾造粒,得到造粉粒;

3)、将造粉粒置于模具中进行干压一次成型,成型压力为100~150MPa,得到坯体;

4)、将上述坯体进行无压液相烧结,温度为1750℃~2000℃,保温2~3小时;得到低摩擦系数的碳化硅陶瓷密封件。

3.根据权利要求2所述的低摩擦系数的碳化硅陶瓷密封件的制备方法,其特征是:所述步骤1)中球磨混合的时间为2~4小时;步骤2)的喷雾造粒中:所述料浆的流量为2~3kg/h,热风进口温度为200~250℃。

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