[发明专利]形成半导体器件的图案的方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2010年7月9日提交的韩国专利申请10-2010-0066496的优先权，本文通过引用包含该申请的全部内容。

技术领域

本发明的示例性实施例涉及一种形成半导体器件的图案的方法，更具体而言，涉及一种形成半导体器件的图案的方法，用于在相同的层上形成图案时改善具有不同宽度的图案之间的间隙均匀性。

背景技术

半导体器件的图案可以具有各种尺寸。NAND快闪存储器件就是一个例子。在NAND快闪存储器件的存储单元阵列区中形成多个串(string)。每个串包括源极选择晶体管、漏极选择晶体管和串联耦接在源极选择晶体管和漏极选择晶体管之间的多个存储单元。源极选择晶体管的栅极与源极选择线相耦接，漏极选择晶体管的栅极与漏极选择线相耦接，并且存储单元的栅极与字线相耦接。此外，漏极选择线和源极选择线的每个可以比字线宽。具体而言，由于这种器件的集成度的原因，故字线可以具有比曝光分辨率极限更窄的精细线宽。

如上所述，为了形成每个都具有比曝光分辨率极限更窄的线宽的图案，已经提出了使用间隔件的“间隔件图案化技术”(SPT)。SPT法包括以下步骤：形成第一辅助图案，所述辅助图案用来提供凸起和凹陷形状以便能够形成间隔件；在包括第一辅助图案的整个结构的表面上沉积间隔件层；使用诸如回蚀的刻蚀法以在第一辅助图案的侧壁上保留间隔件层的方式来刻蚀间隔件层，从而在第一辅助图案的侧壁上形成间隔件；去除第一辅助图案；和使用保留的间隔件作为刻蚀掩模来刻蚀基础层。根据使用间隔件的SPT法，通过控制间隔件层的厚度可以形成具有精细的线宽的图案。但是，为了形成每个都具有比间隔件宽度宽的线宽的图案，在形成第一辅助图案之后必须还进行形成第二辅助图案的工艺，每个所述第二辅助图案具有比间隔件宽的线宽。第二辅助图案与间隔件一起，在刻蚀基础层的工艺中起刻蚀掩模的作用，并且它们被用于形成每个都具有比间隔件宽的线宽的图案。

图1是示出间隔件与用于形成具有不同线宽的图案的辅助图案之间的排列关系的示意图。

参照图1，如上所述，间隔件53形成在第一辅助图案51的侧壁上，其中每个间隔件53将每个精细图案的宽度限定为比曝光分辨率极限更窄。利用第一辅助图案51限定间隔件53之间的间隙D1。在要形成每个都具有比间隔件53所限定的宽度宽的图案的区域之上形成第二辅助图案55。在此，根据第二辅助图案55的排列来确定在由第二辅助图案55所限定的图案与由间隔件53所限定的图案之间的间隙D2。通常，由于第二辅助图案55的排列余量的原因，所以更精细的图案与比曝光分辨率宽的图案之间的间隙D2比由间隔件所限定的精细图案之间的间隙D1要宽。在这种情况下，在形成具有不同宽度的半导体器件图案的刻蚀工艺中，会出现根据图案密度的差别在刻蚀程度中存在差别的负载效应，这可能导致损伤半导体器件的某些区域。在下文中参照附图2更详细地描述了因负载效应而产生的问题。

图2是示出用形成半导体器件图案的现有方法形成的NAND快闪存储器件的一部分的截面图。

参照图2，使用硬掩模图案21作为刻蚀掩模将包括字线WL和选择线DSL/SSL的栅极图案图案化。选择线DSL/SSL可以包括漏极选择线DSL或源极选择线SSL。

用于将字线WL图案化的硬掩模图案21可以具有由上述间隔件所限定的线宽并且具有比曝光分辨率更精细的线宽。而且，用于将选择线DSL/SSL图案化的硬掩模21可以具有由第二辅助图案限定的线宽并且具有比用于将字线WL图案化的硬掩模图案21宽的线宽。但是，根据第二辅助图案的排列，选择线DSL/SSL与相邻的字线WL之间的第二间隙D2可以比相邻的字线WL之间的第一间隙D1宽。因此，在形成栅极图案的刻蚀工艺中，由于负载效应的原因，故在选择线DSL/SSL与相邻的字线WL之间暴露出的层可能比在字线WL之间暴露出的层刻蚀得更快。