[发明专利]相变随机存储器的制造方法有效
| 申请号： | 201010534177.1 | 申请日： | 2010-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN102468429A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 任万春;向阳辉;张彬;宋志棠 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 相变 随机 存储器 制造 方法 | ||
1.一种相变随机存储器的制造方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有第二绝缘层，所述第二绝缘层内填充有GST相变材料；
在所述第二绝缘层和GST相变材料上沉积低温氧化层；
图案化所述低温氧化层，以形成覆盖所述GST相变材料的图案化的低温氧化层；
在所述第二绝缘层和图案化的低温氧化层上依次沉积氮化硅层和第三绝缘层；
依次刻蚀所述第三绝缘层和氮化硅层，以完全暴露出图案化的低温氧化层，形成刻蚀孔；
移除所述刻蚀孔内的图案化的低温氧化层；
在所述刻蚀孔内形成上电极。
2.根据权利要求1所述相变随机存储器的制造方法，其特征在于：所述半导体衬底和第二绝缘层之间还设有第一绝缘层，所述第一绝缘层内形成有下电极。
3.根据权利要求2所述相变随机存储器的制造方法，其特征在于：所述GST相变材料覆盖于下电极上表面，与下电极对准。
4.根据权利要求1所述相变随机存储器的制造方法，其特征在于：所述低温氧化层的沉积厚度为50埃～500埃。
5.根据权利要求1所述相变随机存储器的制造方法，其特征在于：所述氮化硅层的沉积厚度为50埃～500埃。
6.根据权利要求1所述相变随机存储器的制造方法，其特征在于：所述第三绝缘层和氮化硅层的刻蚀方法为干法刻蚀。
7.根据权利要求1或6所述相变随机存储器的制造方法，其特征在于：所述第三绝缘层和氮化硅层的刻蚀为垂直刻蚀。
8.根据权利要求1所述相变随机存储器的制造方法，其特征在于：所述图案化的低温氧化层的移除方法为湿法刻蚀。
9.根据权利要求8所述相变随机存储器的制造方法，其特征在于：所述湿法刻蚀采用的刻蚀剂为缓冲氧化硅腐蚀液。
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