[发明专利]制备小尺寸图形衬底的方法

权利要求书

1.一种制备小尺寸图形衬底的方法，其特征在于包括：

1)在待形成图形的透光性半导体衬底的一表面采用曝光-光刻工艺形成图形宽度为1.5μm-2μm，图形之间间距为1.5μm-1μm、图形的高度为0.5um-1um的薄光刻胶层图形；

2)对所述薄光刻胶层图形进行处理以使其转化为不透光图形；

3)在不透光图形表面涂覆厚度为3-4μm的厚光刻胶；

4)使光自所述半导体衬底的另一表面进入，对所述厚光刻胶进行光刻，从而形成厚光刻胶图形；

5)采用刻蚀法将所述厚光刻胶图形转移至所述半导体衬底。

2.如权利要求1所述的制备小尺寸图形衬底的方法，其特征在于：步骤2)中的处理包括采用UV射线对所述薄光刻胶层进行固化处理。

3.如权利要求1或2所述的制备小尺寸图形衬底的方法，其特征在于：步骤2)中的处理包括在N2气氛中高温进行碳化处理。

4.如权利要求1所述的制备小尺寸图形衬底的方法，其特征在于：所述半导体衬底的材料为双面抛光蓝宝石。

5.如权利要求1所述的制备小尺寸图形衬底的方法，其特征在于：采用干法刻蚀将所形成的厚光刻胶图形转移至所述半导体衬底。