[发明专利]一种基于液相化学反应的黑硅制备方法无效
| 申请号: | 201010532330.7 | 申请日: | 2010-11-05 |
| 公开(公告)号: | CN102051618A | 公开(公告)日: | 2011-05-11 |
| 发明(设计)人: | 杨培志;李学铭;廖承菌;杨雯;田晶;郝瑞亭 | 申请(专利权)人: | 云南师范大学 |
| 主分类号: | C23F1/24 | 分类号: | C23F1/24;C23F1/02;C30B33/10 |
| 代理公司: | 昆明慧翔专利事务所 53112 | 代理人: | 程韵波 |
| 地址: | 650092 云南*** | 国省代码: | 云南;53 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 基于 化学反应 制备 方法 | ||
1.一种基于液相化学反应的黑硅制备方法,其特征在于:其按以下步骤实施,
将硅片置于腐蚀溶液中,然后向其中加入具有催化活性的金属离子化合物,通过催化作用下的离子刻蚀反应在硅片表面进行织构化处理,形成具有微结构表面的黑硅材料;
所述的腐蚀溶液为氢氟酸和过氧化氢所组成的混合溶液,其中氢氟酸的重量百分浓度为1%~20%,过氧化氢的重量百分浓度为0.1%~30%;氢氟酸和过氧化氢的混合重量比为1∶3~6;
所述的腐蚀溶液中添加的为刻蚀反应提供具有催化活性作用的金属离子化合物包括金、银、铁、铜、镍、锌和/或锡的化合物;
所述的离子刻蚀反应的温度为5-85℃,离子刻蚀反应时间为1-60分钟;
所述的催化金属离子,可以单独使用,也可两种或以上金属离子混合复配使用。
2.根据权利要求1所述的基于液相化学反应的黑硅制备方法,其特征在于:按氢氟酸与过氧化氢的重量比为1∶4配置100毫升由氢氟酸和过氧化氢组成的混合溶液,其中氢氟酸的重量百分浓度为8%,过氧化氢的重量百分浓度为24%,将未经抛光的单晶硅片放入加热至15℃的混合溶液中,随即加入0.2毫摩尔的氯金酸,4.5分钟后取出硅片,冲洗干净,自然晾干,制得黑硅材料。
3.根据权利要求1所述的基于液相化学反应的黑硅制备方法,其特征在于:按氢氟酸与过氧化氢的重量比为1∶6配置两份相同的100毫升由氢氟酸和过氧化氢组成的混合溶液,其中氢氟酸的重量百分浓度为20%,过氧化氢的重量百分浓度为0.5%,将单晶硅片放入加热至25℃的第一份溶液中,随即加入1毫摩尔的硝酸银,1分钟后取出硅片;加热另一份溶液至50℃,将此硅片放入溶液中,随即加入2毫摩尔的硝酸铁,50分钟后取出硅片,冲洗干净,自然晾干,制备得到黑硅材料。
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