[发明专利]形成双镶嵌结构的方法、半导体器件

权利要求书

1.一种形成双镶嵌结构的方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上依次形成有第一介质层和掺氮碳化硅层；

在所述掺氮碳化硅层上形成应力缓冲层；

在所述应力缓冲层上形成第二介质层，所述第二介质层的介电常数小于3.5；

刻蚀所述第二介质层、应力缓冲层、掺氮碳化硅层形成互连沟槽和互连通孔；

在所述互连沟槽和互连通孔内填充金属，形成双镶嵌结构。

2.如权利要求1所述的形成双镶嵌结构的方法，其特征在于，所述应力缓冲层为氧化硅层。

3.如权利要求2所述的形成双镶嵌结构的方法，其特征在于，所述氧化硅层的厚度范围为10埃-100埃。

4.如权利要求1所述的形成双镶嵌结构的方法，其特征在于，所述掺氮碳化硅层包括第一掺氮碳化硅层和第二掺氮碳化硅层，第二掺氮碳化硅层形成于所述第一掺氮碳化硅层上，所述第一掺氮碳化硅层中碳的含量小于第二掺氮碳化硅层中碳的含量。

5.如权利要求1所述的形成双镶嵌结构的方法，其特征在于，所述形成互连沟槽和互连通孔的方法为：

在所述第二介质层上形成具有沟槽的硬掩膜层；

在所述具有沟槽的硬掩膜层上依次形成抗反射层、光刻胶层；

图形化所述光刻胶层，定义出开口图形；

以所述图形化的光刻胶层为掩膜，依次刻蚀所述抗反射层、硬掩膜层以及部分第二介质层，形成开口；

去除所述图形化的光刻胶层和抗反射层；

以所述具有沟槽的硬掩膜层为刻蚀图形，继续刻蚀所述第二介质层、应力缓冲层、掺氮氮化硅层，对应所述沟槽在所述第二介质层形成互连沟槽，对应所述开口在第二介质层、应力缓冲层、掺氮碳化硅层形成互连通孔。

6.如权利要求1所述的形成双镶嵌结构的方法，其特征在于，所述第一介质层的材料为碳氧化硅或黑钻石；所述第二介质层的材料为碳氧化硅或黑钻石。

7.如权利要求1所述的形成双镶嵌结构的方法，其特征在于，所述金属为铜。

8.一种半导体器件，其特征在于，包括：

基底，所述基底上形成有第一介质层；

掺氮碳化硅层，形成于所述第一介质层上；

应力缓冲层，形成于所述掺氮碳化硅层上；

第二介质层，形成于所述应力缓冲层上，所述第二介质层的介电常数小于3.5；

双镶嵌结构，形成于所述第二介质层、应力缓冲层、掺氮碳化硅层。

9.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述应力缓冲层为氧化硅层。

10.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述氧化硅层的厚度范围为10埃-100埃。

11.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述掺氮碳化硅层包括第一掺氮碳化硅层和第二掺氮碳化硅层，第二掺氮碳化硅层形成于所述第一掺氮碳化硅层上，所述第一掺氮碳化硅层中碳的含量小于第二掺氮碳化硅层中碳的含量。

12.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述第一介质层的材料为碳氧化硅或者黑钻石；所述第二介质层的材料为碳氧化硅或黑钻石。

13.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述双镶嵌结构的材料为铜。