[发明专利]TFT-LCD及其驱动方法和彩膜基板制造方法有效
| 申请号: | 201010532017.3 | 申请日: | 2010-10-29 |
| 公开(公告)号: | CN102466923A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
| 发明(设计)人: | 朱剑磊;徐晓玲;柳在健 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/133;G02F1/1335;G02F1/1333 |
| 代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 刘芳 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | tft lcd 及其 驱动 方法 彩膜基板 制造 | ||
1.一种TFT-LCD,包括彩膜基板和阵列基板,其特征在于,所述彩膜基板上黑矩阵所在区域形成有第一条形电极和第二条形电极,所述第一条形电极和第二条形电极围设的区域包括至少一个子像素区域,所述第一条形电极和第二条形电极电隔离。
2.根据权利要求1所述的TFT-LCD,其特征在于,所述第一条形电极和第二条形电极外覆弹性支撑材料,所述第一条形电极和第二条形电极兼作隔垫物。
3.根据权利要求2所述的TFT-LCD,其特征在于,所述第一条形电极和第二条形电极的高度等于盒厚减去阵列基板上TFT的高度,再减去弹性支撑材料厚度与弹性支撑材料的收缩系数的乘积。
4.根据权利要求1所述的TFT-LCD,其特征在于,所述第一条形电极和第二条形电极交错排布。
5.根据权利要求1-4中任一权利要求所述的TFT-LCD,其特征在于,还包括驱动电路,与所述第一条形电极和第二条形电极连接,用于在子像素区域的薄膜晶体管打开后,像素电极上施加数据信号之前,向所述第一条形电极和第二条形电极施加信号,使得所述第一条形电极和第二条形电极之间形成水平电场。
6.根据权利要求5所述的TFT-LCD,其特征在于,所述驱动电路还用于在所述像素电极上施加数据信号之后,在所述子像素区域的薄膜晶体管关断之前,撤去所述第一条形电极和第二条形电极上的信号。
7.一种如权利要求1-6中任一权利要求所述的TFT-LCD中的彩膜基板的制造方法,包括形成彩色滤色膜的步骤,其特征在于,还包括:在黑矩阵所在区域,形成第一条形电极和第二条形电极。
8.根据权利要求7所述的TFT-LCD中的彩膜基板的制造方法,其特征在于,在形成第一条形电极和第二条形电极之后还包括:在基板上形成黑矩阵。
9.根据权利要求8所述的TFT-LCD中的彩膜基板的制造方法,其特征在于,形成彩色滤色膜的步骤在形成黑矩阵之后执行,在形成彩色滤色膜之后还在基板上形成透明电极。
10.根据权利要求7-9中任一权利要求所述的方法,其特征在于,还包括:在基板上通过沉积工艺形成弹性支撑材料,使得所述弹性支撑材料外覆在所述第一条形电极和第二条形电极上。
11.一种如权利要求1-6中任一权利要求所述的TFT-LCD的驱动方法,其特征在于,包括:
在子像素区域的薄膜晶体管打开后,像素电极上施加数据信号之前,向第一条形电极和第二条形电极上施加信号,使得所述第一条形电极和第二条形电极之间形成水平电场;
在所述像素电极上施加数据信号之后,在所述子像素区域的薄膜晶体管关断之前,撤去所述第一条形电极和第二条形电极上的信号。
12.根据权利要求11所述的TFT-LCD的驱动方法,其特征在于,所述第一条形电极和第二条形电极上施加信号的电压差为像素电极和彩膜基板上的公共电极之间的电压差的三倍以上。
13.根据权利要求11所述的TFT-LCD的驱动方法,其特征在于,在子像素区域的薄膜晶体管打开后,像素电极上施加数据信号之前,所述第一条形电极和第二条形电极上施加信号的电压差为像素电极和彩膜基板上的公共电极之间的电压差的三倍以上;在所述像素电极上施加数据信号之后,在所述子像素区域的薄膜晶体管关断之前,所述像素电极和彩膜基板上的公共电极之间的电压差大于所述第一条形电极和第二条形电极上施加信号的电压差。
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