[发明专利]化学气相沉积设备及其冷却箱无效
| 申请号： | 201010530714.5 | 申请日： | 2010-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN102002686A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 贺成明;洪峻铭 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44 |
| 代理公司： | 广东国晖律师事务所 44266 | 代理人： | 欧阳启明 |
| 地址： | 518057 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化学 沉积 设备 及其 冷却 | ||
1.一种化学气相沉积设备，其特征在于：所述化学气相沉积设备包括：
反应腔室；
至少一清洁气体通道，连接于所述反应腔室与远程等离子源之间；以及
防氟化材料层，形成于所述清洁气体通道内。
2.根据权利要求1所述的化学气相沉积设备，其特征在于：还包括第一冷却箱、气体管道及第二冷却箱，所述第一冷却箱连接于所述远程等离子源，所述气体管道连接于所述第一冷却箱与所述第二冷却箱，所述第二冷却箱连接于所述反应腔室。
3.根据权利要求2所述的化学气相沉积设备，其特征在于：所述清洁气体通道是形成于所述第一冷却箱、所述气体管道及所述第二冷却箱的至少一个内。
4.根据权利要求1所述的化学气相沉积设备，其特征在于：所述防氟化材料层是涂层或由套管来形成。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的化学气相沉积设备，其特征在于：所述防氟化材料层的材料为聚四氟乙烯。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的化学气相沉积设备，其特征在于：所述防氟化材料层形成于所述清洁气体通道的全部内壁表面上。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的化学气相沉积设备，其特征在于：所述防氟化材料层形成于所述清洁气体通道的部分内壁表面上。
8.根据权利要求1至4中任一项所述的化学气相沉积设备，其特征在于：还包括防氟化材料管，其是以防氟化材料来一体成型，所述清洁气体通道是形成于所述防氟化材料管内，而形成所述防氟化材料层于所述清洁气体通道内。
9.一种化学气相沉积设备的冷却箱，其特征在于：所述冷却箱包括：
箱体；
至少一清洁气体通道，形成于所述箱体内，并连接于所述化学气相沉积设备的反应腔室以及远程等离子源之间；以及
防氟化材料层，形成于所述清洁气体通道内。
10.根据权利要求9所述的冷却箱，其特征在于：所述防氟化材料层是涂层或由套管来形成。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
