[发明专利]化学气相沉积装置及其控制方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2010年2月5日提交的韩国专利申请第10-2010-0011141号和2009年12月24日提交的韩国专利申请第10-2009-0131039号的优先权，并将其公开内容整体通过引用并入本文中。

技术领域

本发明提供化学气相沉积(CVD)装置及其控制方法，更具体涉及设置有检测管的CVD装置及其控制方法，其中温度计可在不接触的情况下通过所述检测管检测基座和基片的温度。

背景技术

化学气相沉积(CVD)装置是用于在晶片上沉积薄膜的装置。具体而言，金属有机化学气相沉积(MOCVD)装置是用于通过将III族和V族化合物供给至腔室中而在基片上沉积氮化镓薄膜的装置。

为了沉积氮化镓薄膜，MOCVD装置在600℃～1300℃的高温下实施工艺。高温致使难以对基片或基座使用接触型温度计。

因此，MOCVD装置使用了非接触型温度计，例如红外温度计或光学高温计。

另外，所述CVD装置在非接触型温度计和工艺室之间设置有穿过所述装置的检测管，使得位于工艺室外部的非接触型温度计可以检测置于工艺室内部的基片的温度。

但是，某些工艺气体可能在工艺过程中回流进入检测管中，因为检测管与工艺室是连通的。如果所述工艺气沉积在检测管的内壁上，可能会堵塞检测管或对温度检测产生影响。

发明内容

本发明提供了化学气相沉积(CVD)装置和其控制方法，其中通过检测管向基片或基座注入吹扫气，以防止工艺气引入检测管中。

在一个方面，化学气相沉积(CVD)装置包括：腔室；设置在所述腔室内的在其上放置基片的基座；设置在所述基座上方并供给工艺气的工艺气供给单元；设置在所述基座上方并朝向所述基座或基片开口的检测管；安装在所述检测管的末端并通过所述检测管检测所述基座或基片的温度的温度检测部件；和将吹扫气注入所述检测管的吹扫气供给单元。

在另一方面，化学气相沉积(CVD)装置包括：腔室；设置在所述腔室内的在其上放置基片的基座；设置在所述基座上方并供给工艺气的工艺气供给单元；设置在所述基座上方并朝向所述基座或基片开口的检测管；安装在所述检测管的末端并通过所述检测管检测基座或基片温度的温度检测部件；将第一吹扫气注入所述检测管的第一吹扫气供给单元；和将第二吹扫气注入所述检测管的第二吹扫气供给单元。

在又一方面，控制化学气相沉积(CVD)装置的方法包括：将基片放置在腔室内设置的基座上；对所述基片和基座进行加热；将工艺气注入所述腔室中；将吹扫气注入检测管中；和通过所述检测管检测所述基片或基座的温度。

附图说明

图1示出了本发明第一示例性实施方式的化学气相沉积(CVD)装置的剖视图；

图2示出了本发明第一示例性实施方式的CVD装置中检测管的剖视图；

图3示出了本发明第二示例性实施方式的CVD装置的剖视图；

图4示出了本发明第二示例性实施方式的CVD装置中检测管的剖视图；和

图5为本发明一个示例性实施方式的CVD装置控制方法的流程图。

具体实施方式

现将具体引用本发明的优选实施方式，其实例在下文附图中进行了描述，其中相同的附图标记在全部附图中表示相同的部件。以下参照附图对实施方式进行说明以解释本发明。

以下，将根据本发明的第一示例性实施方式说明化学气相沉积(CVD)装置。

图1示出了本发明第一示例性实施方式的CVD装置的剖视图。如图1所示，该实施方式中的金属有机化学气相沉积(MOCVD)装置包括形成外观的腔室100。另外，工艺气供给单元110设置在腔室100上部内侧，并将III族和V族气体注入腔室100。

工艺气供给单元110可通过喷淋头实施，所述喷淋头包括第一工艺气供给通道114、第二工艺气供给通道115和冷却通道116。第二工艺气供给通道115与第一工艺气供给通道114分开设置，使得第一工艺气和第二工艺气不能相互混合。将第一工艺气供给通道114和第二工艺气供给通道115各自形成为穿过冷却通道116。冷却水经冷却通道116流过并使喷淋头底部温度降低。这防止了工艺气在喷淋头底部发生反应。

替代性地，工艺气供给单元110可以以喷嘴的形式实现。

基座设置在工艺气供给单元110的下方。基座120上可放置多个基片S。基座120下可设置旋转轴160，且可在伸出腔室100外的旋转轴160下端装配发动机170。在这种情况下，在实施工艺时，通过旋转轴160和安装在腔室100外部的发动机170使基座120旋转。