[发明专利]具有三维表面轮廓的衬底的功率半导体模块及其制造方法

权利要求书

1.功率半导体模块，具有：衬底(10)；用于对外电连接的连接元件(180、182)；以及大量功率半导体构件(20)，其中，所述衬底(10)具有电绝缘层(12)，在所述电绝缘层(12)上布置有第一金属层，所述第一金属层自身被结构化并且进而构成第一分层(14a/14b/14c)，并且其中，在所述第一金属层上布置有带至少一个第二分层(16a/16b/16c)的第二金属层，所述至少一个第二分层(16a/16b/16c)具有三维表面轮廓。

2.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其中，所述第二金属层的至少一个第二分层(16a/16b/16c)以至少90％的程度覆盖所配属的所述第一分层(14a/14b/14c)。

3.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其中，所述第二金属层的至少一个第二分层(16a/16b/16c)在所配属的所述第一分层(14a/14b/14c)的边缘区域超出所配属的所述第一分层(14a/14b/14c)并且在所述至少一个第二分层(16a/16b/16c)的进一步的伸展中构成所述功率半导体模块的第一对外负载连接元件(180)。

4.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其中，所述第二金属层的至少一个第二分层(16a/16b/16c)具有如下的区段，所述区段以一角度从所述至少一个第二分层(16a/16b/16c)伸出并且在所述区段进一步的伸展中构成所述功率半导体模块的第二对外负载连接元件(182)。

5.用于制造根据前述权利要求之一构成的功率半导体模块的方法，其特征在于如下主要步骤：

·提供基础衬底，所述基础衬底具有绝缘层(12)以及自身结构化的并且进而构成第一分层(14a/14b/14c)的第一金属层；

·构成第二金属层的具有三维表面结构的至少一个第二分层(16a/16b/16c)；

·将所述第二金属层的所述至少一个第二分层(16a/16b/16c)与所配属的所述第一分层(14a/14b/14c)连接；

·将至少一个功率半导体构件(20)设置在第二分层上。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第二分层(16a/16b/16c)的所述三维表面结构通过冲压-弯曲技术由恒定厚度的金属体构成。

7.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第二分层(16a/16b/16c)的所述三维表面结构通过折叠恒定厚度的金属体来构成。

8.根据权利要求5所述的方法，其中，在相应的所述第一分层(14a/14b/14c)与所述第二分层(16a/16b/16c)之间的连接借助加压烧结方法来构成。

9.根据权利要求5所述的方法，其中，在布置了所述至少一个功率半导体构件(20)之后，第二分层(16a)的区段(186)被再次变形并且在这种情况下部分地置于所述功率半导体构件(20)上。