[发明专利]化合物半导体晶片清洗方法

权利要求书

1.一种III-V族化合物半导体晶片清洗方法，包括以下步骤：

(1)在不高于20℃的温度下，用稀释氨水、过氧化氢和水体系处理晶片；

(2)用去离子水冲洗晶片；

(3)用一种氧化剂处理晶片；

(4)用去离子水冲洗晶片；

(5)用一种稀酸或稀碱溶液处理晶片；

(6)用去离子水冲洗晶片；和

(7)使得到的晶片干燥。

2.如权利要求1所述的方法，其中步骤(1)在不高于15℃的温度进行，优选在5-15℃的温度进行。

3.如权利要求1或2所述的方法，其中步骤(1)的处理时间为2-25分钟，优选3-20分钟，更优选5-18分钟。

4.如权利要求1或2所述的方法，其中在所述稀释氨水、过氧化氢和水体系中，按重量百分比计算，氨水、过氧化氢的含量分别为0.2-10.0％NH₃和0.2-3.0％H₂O₂，优选为0.2-5.0％NH₃和0.2-2.5％H₂O₂。

5.如权利要求1或2所述的方法，其中步骤(3)中使用的氧化剂为过氧化氢、有机过氧化物或臭氧水。

6.如权利要求1或2所述的方法，其中步骤(3)的处理时间为1-45分钟，优选为3-30分钟，更优选为5-15分钟。

7.如权利要求1或2所述的方法，其中步骤(3)中使用的稀酸或稀碱溶液为盐酸、氢氟酸或硝酸的稀溶液，或者氨水、氢氧化钠或氢氧化钾的稀溶液。

8.如权利要求1或2所述的方法，其中在第(1)-(6)步的各步骤或部分步骤中还使用兆声波。

9.如权利要求1或2所述的方法，其中所述III-V化合物为砷化镓。

10.如权利要求1或2所述的方法，其中在步骤(1)的体系中还加入选自界面活性剂、HF、螯合剂的其它添加剂。