[发明专利]修饰层/ZnO纳米棒/有机复合层的真空紫外电致发光器件

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光器件，特别适用于获得真空紫外发光二极管和激光器，属于光源领域。

背景技术

公开日 2009年5月20日，公开号 CN101436647A，发明名称“ZnO纳米棒/有机发光材料复合层的真空紫外电致发光器件”，所公开的发光器件是在阳极氧化铟锡导电玻璃上，制备垂直其表面的ZnO纳米棒，在ZnO纳米棒上制备有机发光层，而后铝阴极；ZnO 纳米棒作为空穴注入层和传输层，而有机发光材料作为电子注入层和传输层。在直流电驱动下，实现了强于其他发射的ZnO的真空紫外发射。但这种在电驱动下真空紫外发光的强度距离实用还很遥远。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，提高ZnO在电驱动下的真空紫外发光强度，提供一种修饰层/ZnO纳米棒/有机复合层的真空紫外电致发光器件。

本发明解决其问题的技术方案是：

一种修饰层/ZnO纳米棒/有机复合层的真空紫外电致发光器件，该真空紫外电致发光器件包括在阳极氧化铟锡导电玻璃上，制备修饰层；在修饰层上制备垂直于其表面的ZnO纳米棒，使ZnO纳米棒的长度保持在100～150nm；在ZnO纳米棒上，制备有机发光层，使之覆盖ZnO纳米棒；在有机发光层上，制备Al阴极。用直流驱动。

修饰层/ZnO 纳米棒作为空穴注入层和传输层，而有机发光层作为电子注入层和传输层。

阳极修饰层的材料为ZnS，厚度为1～10纳米。

有机发光层的材料为聚苯撑乙炔或其衍生物聚〔2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)〕对苯乙炔，或为小分子有机发光材料：8-羟基喹啉铝、8-羟基喹啉铝锌。

本发明和已有技术相比所具有的益效果是：

本发明在公开号 CN101436647A的基础上，利用阳极修饰层提高CN101436647A所报道器件的真空紫外发光强度，实现很强的ZnO的真空紫外发射。

附图说明

图1为本发明的器件结构示意图。

具体实施方案

下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步描述。

实施方式一，一种修饰层/ZnO纳米棒/有机复合层的真空紫外电致发光器件，该器件的结构如图1 所示。该真空紫外电致发光器件包括在阳极氧化铟锡导电玻璃1上，制备材料为ZnS的修饰层2，厚度为1 nm。

在修饰层2上制备垂直其表面的ZnO纳米棒3，使ZnO纳米棒的长度为100nm。

在ZnO纳米棒3上，制备材料为聚〔2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)〕对苯乙炔（MEH-PPV）的有机发光层4，使之覆盖ZnO纳米棒。

在有机发光层4上，制备Al阴极，得到修饰层/ZnO纳米棒/有机复合层的真空紫外电致发光器件。

用直流驱动，材料为ZnS的阳极修饰层2作为空穴注入层，ZnO 纳米棒3作为空穴传输层，而P型有机聚合物MEH-PPV的有机发光层4，作为电子注入层和传输层，使器件发光。

实施例二，一种修饰层/ZnO纳米棒/有机复合层的真空紫外电致发光器件，该器件的结构如图1 所示。该真空紫外电致发光器件包括在阳极氧化铟锡导电玻璃1上，制备材料为ZnS的修饰层2，厚度为10 nm。

在修饰层2上制备垂直其表面的ZnO纳米棒3，使ZnO纳米棒的长度为150nm。

在ZnO纳米棒3上，制备材料为Alq₃的有机发光层4，使之覆盖ZnO纳米棒；在有机发光层4上，制备Al阴极，得到修饰层/ZnO纳米棒/有机复合层的真空紫外电致发光器件，在直流驱动下，使之发光。

实施例三，一种修饰层/ZnO纳米棒/有机复合层的真空紫外电致发光器件，该器件的结构如图1 所示。该真空紫外电致发光器件包括在阳极氧化铟锡导电玻璃1上，制备材料为ZnS的修饰层2，厚度为5 nm。

在修饰层2上制备垂直其表面的ZnO纳米棒3，使ZnO纳米棒的长度为130nm。

在ZnO纳米棒3上，制备材料为Alq₃的有机发光层4，使之覆盖ZnO纳米棒；在有机发光层4上，制备Al阴极，得到修饰层/ZnO纳米棒/有机复合层的真空紫外电致发光器件，在直流驱动下，使之发光。