[发明专利]蓄电装置用电极的制造方法及蓄电装置的制造方法

权利要求书

1.一种蓄电装置用电极的制造方法，包括如下步骤：

形成用作集电体的导体；

在所述导体的一个表面上形成包括非晶体区域及微晶区域的混合层；以及

对所述混合层选择性地进行蚀刻，以去除所述非晶体区域的一部分或全部而使所述微晶区域露出，由此形成用于所述蓄电装置用电极的活性物质。

2.根据权利要求1所述的蓄电装置用电极的制造方法，其中将包含使所述非晶体区域氧化的物质及使所述被氧化了的非晶体区域溶解的物质的混合溶液用作蚀刻剂进行所述蚀刻。

3.根据权利要求1所述的蓄电装置用电极的制造方法，

其中将包含使所述非晶体区域氧化的物质及使所述被氧化了的非晶体区域溶解的物质的混合溶液用作蚀刻剂进行所述蚀刻，

并且作为所述使非晶体区域氧化的物质使用铬酸钾，作为所述使被氧化了的非晶体区域溶解的物质使用氢氟酸。

4.根据权利要求1所述的蓄电装置用电极的制造方法，其中将包含使所述非晶体区域氧化的物质、使所述被氧化了的非晶体区域溶解的物质、控制所述非晶体区域的氧化速度及所述被氧化了的非晶体区域的溶解速度的物质的混合溶液用作蚀刻剂进行所述蚀刻。

5.根据权利要求1所述的蓄电装置用电极的制造方法，

其中将包含使所述非晶体区域氧化的物质、使所述被氧化了的非晶体区域溶解的物质、控制所述非晶体区域的氧化速度及所述被氧化了的非晶体区域的溶解速度的物质的混合溶液用作蚀刻剂进行所述蚀刻，

并且作为所述使非晶体区域氧化的物质使用硝酸，作为所述使被氧化了的非晶体区域溶解的物质使用氢氟酸，作为控制所述非晶体区域的氧化速度及所述被氧化了的非晶体区域的溶解速度的物质使用乙酸。

6.根据权利要求1所述的蓄电装置用电极的制造方法，其中所述微晶的晶粒径为2nm以上且50nm以下。

7.根据权利要求1所述的蓄电装置用电极的制造方法，其中所述导体包括铝、铜、镍或钛。

8.根据权利要求1所述的蓄电装置用电极的制造方法，其中所述混合层包括微晶硅膜、微晶硅锗膜或微晶锗膜。

9.根据权利要求1所述的蓄电装置用电极的制造方法，其中混合沉积气体、氢、或稀有气体，并通过辉光放电等离子体，形成所述混合层。

10.一种蓄电装置的制造方法，所述蓄电装置包括正极、负极及电解质，所述制造方法包括如下步骤：

形成用作集电体的导体；

在所述导体的一个表面上形成包括非晶体区域及微晶区域的混合层；以及

对所述混合层选择性地进行蚀刻，以去除所述非晶体区域的一部分或全部而使所述微晶区域露出，由此形成所述蓄电装置的负极。

11.根据权利要求10所述的蓄电装置的制造方法，其中将包含使所述非晶体区域氧化的物质及使所述被氧化了的非晶体区域溶解的物质的混合溶液用作蚀刻剂进行所述蚀刻。

12.根据权利要求10所述的蓄电装置的制造方法，其中将包含使所述非晶体区域氧化的物质、使所述被氧化了的非晶体区域溶解的物质、控制所述非晶体区域的氧化速度及所述被氧化了的非晶体区域的溶解速度的物质的混合溶液用作蚀刻剂进行所述蚀刻。

13.根据权利要求10所述的蓄电装置的制造方法，其中所述微晶的晶粒径为2nm以上且50nm以下。

14.根据权利要求10所述的蓄电装置的制造方法，其中所述导体包括铝、铜、镍或钛。

15.根据权利要求10所述的蓄电装置的制造方法，其中所述混合层包括微晶硅膜、微晶硅锗膜或微晶锗膜。

16.根据权利要求10所述的蓄电装置的制造方法，其中混合沉积气体、氢、或稀有气体，并通过辉光放电等离子体，形成所述混合层。