[发明专利]热式流体流量传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种热式流体流量传感器，所述热式流体流量传感器用于测量空气流量，其形成于基板上，具有湿度检测部和空气流量检测部，其特征在于，

所述湿度检测部具有：

第1发热电阻体、

所述第1发热电阻体上方的空洞层、和

形成于所述空洞层上的第1膜，

所述空气流量检测部具有：

第2发热电阻体、和

多个测温电阻体，所述测温电阻体在与所述基板主面平行的面内以夹持所述第2发热电阻体的方式设置于所述第2发热电阻体的侧方，

所述第1膜具有从所述第1膜上面到所述空洞层的多个孔。

2.如权利要求1所述的热式流体流量传感器，其特征在于，所述湿度检测部的所述第1发热电阻体、所述空气流量检测部的所述第2发热电阻体和所述测温电阻体为金属膜、金属氮化物、金属硅化物、多晶硅或掺杂硅，所述金属膜以钼、α钽、钛、钨、钴、镍、铁、铌、铪、铬、锆、铂、β钽中的任一种为主要成分，所述金属氮化物为氮化钽、氮化钼、氮化钨、氮化钛中的任一种，所述金属硅化物为硅化钨、硅化钼、硅化钴、硅化镍中的任一种，所述掺杂硅是掺杂有磷或硼的掺杂硅。

3.如权利要求1所述的热式流体流量传感器，其特征在于，所述第1发热电阻体及所述第2发热电阻体由同一层金属膜形成。

4.如权利要求1所述的热式流体流量传感器，其特征在于，所述第1发热电阻体、所述第2发热电阻体及所述测温电阻体的上下被绝缘膜所覆盖。

5.如权利要求4所述的热式流体流量传感器，其特征在于，所述第1发热电阻体、所述第2发热电阻体及所述测温电阻体的上下的所述绝缘膜由氧化硅膜、氮化硅膜、氮化铝膜或这些膜的层叠膜构成。

6.如权利要求1所述的热式流体流量传感器，其特征在于，所述孔以与所述第1发热电阻体不在平面上重叠的方式而形成。

7.如权利要求1所述的热式流体流量传感器，其特征在于，所述孔的孔径为2μm以下。

8.如权利要求1所述的热式流体流量传感器，其特征在于，所述第1发热电阻体，在所述基板上在与设置有所述热式流体流量传感器的空气通路的延伸存在方向相同的方向上延伸存在。

9.如权利要求1所述的热式流体流量传感器，其特征在于，所述第1发热电阻体的布线宽度为10μm以下。

10.如权利要求1所述的热式流体流量传感器，其特征在于，平面形状中，在与所述第1发热电阻体的长度方向垂直相交的方向上设置于所述第1发热电阻体上的所述空洞层，具有比所述第1发热电阻体的布线宽度更宽的宽度。

11.如权利要求1所述的热式流体流量传感器，其特征在于，所述第1膜为传热比所述第1发热电阻体低的材料。

12.如权利要求1所述的热式流体流量传感器，其特征在于，所述第1膜包含聚酰亚胺膜或氮化硅膜。

13.如权利要求1所述的热式流体流量传感器，其特征在于，将所述第1发热电阻体、所述第2发热电阻体及所述测温电阻体设置在位于下层的所述基板被除去后所形成的同一第1薄膜内。

14.如权利要求1所述的热式流体流量传感器，其特征在于，将所述第2发热电阻体及所述测温电阻体设置在位于下层的所述基板被除去后所形成的同一第1薄膜内，将所述第1发热电阻体设置在位于下层的所述基板被部分除去后所形成的第2薄膜内，平面形状中所述第2薄膜小于所述第1薄膜。

15.如权利要求1所述的热式流体流量传感器，其特征在于，与所述第1发热电阻体电连接的布线及电极，在所述基板上不与连接在所述第2发热电阻体上的布线及电极电连接。