[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 201010502058.8 | 申请日： | 2010-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN102034819A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 三田惠司;玉田靖宏;高桥政男;丸山孝男 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社;三洋半导体制造株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/07 | 分类号： | H01L27/07;H01L29/861;H01L21/822 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 梁爱荣 |
| 地址： | 日本国大阪府守*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，具备有：
第二导电型的第一埋入层，形成于第一导电型半导体衬底；
第二导电型的第二埋入层，形成于所述第一埋入层内；
第一导电型埋入层，形成于所述第二埋入层内；
第二导电型的外延层，形成于所述第一导电型半导体衬底上；
第二导电型导电层，贯通所述外延层，并与所述第二埋入层的端部重叠而形成；
第一导电型导电层，贯通所述外延层，并与所述第一导电型埋入层的端部重叠而形成；
形成于与所述第一导电型导电层邻接的所述外延层的第二导电型接触层；
形成于所述第二导电型导电层的第二导电型接触层；
第一电极，将所述第一导电型导电层及形成于所述第二导电型导电层的所述第二导电型接触层电性连接；
第二电极，与形成于所述外延层的第二导电型接触层电性连接；以及
第一导电型的分离层，用以分离所述外延层；
通过所述第一电极将以所述第一导电型半导体衬底做为阳极并以所述第二导电型的第一埋入层做为阴极的二极管、以及以所述第一导电型导电层做为阳极并以所述第二导电型外延层做为阴极的二极管予以串联连接，而构成串联连接二极管群。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，具有另一个串联二极管群，形成于由所述分离层所分离的其他的区域，并与所述串联连接二极管群以所述第二电极彼此电性连接。
3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，两个所述串联二极管群，通过所述第二电极彼此电性连接，并且共用所述第一导电型半导体衬底，而整体构成桥接电路。
4.如权利要求1至3中任一项权利要求所述的半导体器件，其特征在于，所述第一导电型导电层包围所述外延层。
5.如权利要求1至3中任一项权利要求所述的半导体器件，其特征在于，所述第二导电型导电层包围所述第一导电型导电层。
6.如权利要求1至3中任一项权利要求所述的半导体器件，其特征在于，所述第二导电型的第二埋入层接触于所述第一导电型埋入层的底部。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社;三洋半导体制造株式会社，未经三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社;三洋半导体制造株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
