[发明专利]玉米芯结构遗态陶瓷基复合材料的制备方法无效

专利信息
申请号: 201010301397.X 申请日: 2010-02-09
公开(公告)号: CN101838148A 公开(公告)日: 2010-09-22
发明(设计)人: 杨敏鸽;王俊勃;贺辛亥;付翀;申明乾;姜凤阳;王琼 申请(专利权)人: 西安工程大学
主分类号: C04B35/622 分类号: C04B35/622
代理公司: 西安弘理专利事务所 61214 代理人: 罗笛
地址: 710048 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 玉米芯 结构 陶瓷 复合材料 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种玉米芯结构遗态陶瓷基复合材料的制备方法,其特征在于,具体按照以下步骤实施:

步骤1:制备玉米芯结构模板或玉米芯结构/前驱体复合模板,

制备玉米芯结构模板具体按照以下步骤实施:取玉米芯,浸渍热固性树脂后,热压固化或常温固化,得到玉米芯结构模板;

制备玉米芯结构/前驱体复合模板具体按照以下步骤实施:取玉米芯,采用溶胶凝胶法,浸渍前驱体溶液或前驱体溶胶,后经干燥浸渍处理,形成玉米芯组织结构/前驱体浸渍剂复合体,将玉米芯结构/前驱体浸渍剂复合体浸渍热固性树脂后,热压或常温固化,得到玉米芯结构/前驱体复合模板;

步骤2:将步骤1制备的玉米芯结构模板置于真空热压炉中,在真空或惰性气体保护气氛下,以3-20℃/min的升温速率升温至500-1800℃,保温1-10h,冷却,得到遗态碳模板;

或,将步骤1制备的玉米芯结构/前驱体复合模板置于真空热压炉中,在真空或惰性气体保护气氛下,以3-20℃/min的升温速率升温至500-1800℃,保温1-10h,冷却,得到遗态陶瓷复合材料;

步骤3:将步骤2制备的遗态碳模板或遗态陶瓷复合材料浸渍前驱体溶液或前驱体溶胶后,置于真空热压炉中,在真空或惰性气体保护气氛下,经真空碳热还原反应,得到玉米芯结构遗态陶瓷基复合材料;

或,将步骤2制备的遗态碳模板在真空或惰性气体保护下,液相渗硅或气相渗硅,得到玉米芯结构遗态陶瓷基复合材料。

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述的热固性树脂采用酚醛树脂、环氧树脂或呋喃树脂中的一种。

3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述的浸渍采用自然浸渍、正负压浸渍或超声浸渍中的一种。

4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述的前驱体溶液采用有机硅聚合物溶液、金属醇盐溶液或金属无机盐溶液中的一种。

5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述的前驱体溶胶采用有机硅聚合物溶胶、金属醇盐溶胶或金属无机盐溶胶中的一种。

6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述的步骤1中的热压固化,温度为100-150℃、压强为0.1MPa-1.5MPa,热压时间为0.5-5h。

7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述的步骤2中的冷却采用随炉冷却或温控冷却。

8.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述的步骤3中的真空碳热还原反应,真空度为1×10-1Pa,以3-20℃/min的速率升温至1300-1800℃,保温1-10h。

9.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述的步骤3中的真空碳热还原反应,在惰性气体保护气氛下,压强为0.03-0.06MPa,以3-20℃/min的速率升温至1300-1800℃,保温1-10h。

10.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述的步骤3中的液相渗硅或气相渗硅,真空度为1×10-1Pa,温度为1400-1600℃。

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