[发明专利]具有反射接合焊盘的发光器件及其制造方法

权利要求书

1.一种发光器件，包括

有源区；

在有源区上的接触，所述接触包括粗糙化区域；

在所述接触的粗糙化区域上的反射金属层。

2.权利要求1的发光器件，进一步包括设置在所述接触和有源区之间的p型半导体材料。

3.权利要求1的发光器件，进一步包括在所述接触和有源区之间的n型半导体材料。

4.权利要求1的发光器件，其中有源区包括III族氮化物基有源区。

5.一种发光器件，包括

有源区；

在有源区上的接触；

在所述接触上的吸收光子的线接合焊盘；

反射结构，其设置在所述接触和线接合焊盘之间且没有延伸超过线接合焊盘。

6.权利要求5的发光器件，其中反射结构具有与线接合焊盘基本相同的面积。

7.权利要求5的发光器件，其中反射结构基本上全同于线接合焊盘。

8.权利要求5的发光器件，进一步包括设置在所述接触和有源区之间的p型半导体材料。

9.权利要求5的发光器件，进一步包括在所述接触和有源区之间的n型半导体材料。

10.权利要求5的发光器件，其中有源区包括III族氮化物基有源区。

11.权利要求5的发光器件，其中反射结构包括反射金属的层。

12.权利要求5的发光器件，其中反射结构与线接合焊盘自对准。

13.一种制造发光器件的方法，包括：

在有源区上形成接触；

在所述接触上形成反射结构，其中形成反射结构包括粗糙化所述接触的区域；

在所述接触上形成掩模层，该掩模层具有开口，其暴露至少一些所述接触的粗糙化区域；

在掩模层的开口中沉积金属层。

14.权利要求13的方法，进一步包括形成设置在所述接触和有源区之间的p型半导体材料。

15.权利要求13的方法，进一步包括在所述接触和有源区之间形成n型半导体材料。

16.权利要求13的方法，其中形成有源区包括形成III族氮化物基有源区。

17.一种制造发光器件的方法，包括：

在有源区上形成第一接触；

在所述接触上形成掩模层，该掩模层具有开口，其暴露所述接触的一部分；

粗糙化至少一些被掩模层的开口暴露的所述接触的部分。

18.权利要求17的方法，进一步包括形成设置在所述接触和有源区之间的p型半导体材料。

19.权利要求17的方法，进一步包括在所述接触和有源区之间形成n型半导体材料。

20.权利要求17的方法，其中形成有源区包括形成III族氮化物基有源区。

21.一种制造发光器件的方法，包括：

在有源区上形成接触；

形成所述接触的粗糙化区域；

在所述接触的粗糙化区域上形成反射金属层。

22.权利要求21的方法，进一步包括形成设置在所述接触和有源区之间的p型半导体材料。

23.权利要求21的方法，进一步包括在所述接触和有源区之间形成n型半导体材料。

24.权利要求21的方法，其中形成有源区包括形成III族氮化物基有源区。