[发明专利]外延基板

说明书

技术领域

本发明涉及一种外延基板，尤其涉及一种可用于成长晶格品质较好的发光二极管磊晶结构的外延基板。

背景技术

目前，发光二极管(Light Emitting Diode，LED)因具有功耗低、寿命长、体积小及亮度高等特性已经被广泛应用到很多领域。

一般地，发光二极管磊晶结构直接成长在硅基板上，由于硅基板与发光二极管磊晶结构的热膨胀系数及晶格不匹配，导致成长的发光二极管磊晶结构晶格品质不佳，甚至崩裂，从而导致硅基板的使用受到限制。

发明内容

下面将以实施例说明一种可用于成长晶格品质较佳的发光二极管磊晶结构的外延基板。

一种用于成长发光二极管磊晶结构的外延基板，该外延基板包括：一第一表面以及与其相对的第二表面，该第一表面与第二表面之间的距离为该外延基板的厚度H，该外延基板的第一表面上形成有多个第一凹槽，每个第一凹槽具有一个第一底面，该外延基板上与第一底面相对的表面为生长表面，该生长表面用于外延生长发光二极管，该第一底面与生长表面之间部分为生长区域，该第一底面与生长表面之间的距离为生长区域的厚度h，该生长区域的厚度h与该外延基板的厚度H满足如下关系：

h/H＜1/3。

相对于现有技术，该外延基板的第一表面上形成有多个第一凹槽，并且在相对较薄的生长区域上成长发光二极管磊晶结构，因此，可以避免发光二极管磊晶结构在磊晶及降温过程中因热膨胀造成晶格应力累积过大而碎裂。所以，利用该外延基板成长的发光二极管磊晶结构具有较好的晶格品质。

附图说明

图1是本发明第一实施例的外延基板的剖面示意图。

图2是本发明第二实施例的外延基板的剖面示意图。

主要元件符号说明

外延基板            100、300

第一表面            11、31

第二表面            12、32

第一凹槽            13、33

第二凹槽            34

生长区域            15、35

生长表面            151、351

保护层              16、36

第一底面            131、331

第一侧壁            132、332

第二底面            341

第二侧壁            342

发光二极管磊晶结构  200、400

第一型半导体层      22

活性层              23

第二型半导体层      24

具体实施方式

下面将结合附图对本发明实施例作进一步的详细说明。

请参见图1，本发明第一实施例提供的一种用于成长发光二极管磊晶结构200的外延基板100。该外延基板100具有一第一表面11以及与其相对的第二表面12。发光二极管磊晶结构200外延生长在该外延基板100的第二表面12上。在本实施例中，该第一表面11为平面。该外延基板100的材料可以为硅(Si)或者碳化硅(SiC)。该第一表面11与第二表面12之间的距离为该外延基板的厚度H。

该外延基板100的第一表面11上具有多个向该第二表面12延伸的第一凹槽13。在本实施例中，该多个第一凹槽13阵列排布。且每个第一凹槽13包括一第一底面131以及与第一底面131相连的第一侧壁132。该第一底面131为平面，该第一侧壁132相对该第一底面131倾斜，以使该第一凹槽13的开口沿远离该第一表面11的方向逐渐减少。该外延基板100上与该第一凹槽13的第一底面131相对的表面为生长表面151。该生长表面151用于外延生长发光二极管磊晶结构200。该第一凹槽13的第一底面131与生长表面151之间部分为生长区域15。该第一底面131与生长表面151之间的距离为生长区域15的厚度h。在本实施例中，该生长区域15的生长表面151与该外延基板100的第二表面12在同一平面上。

该生长区域15的厚度h与该外延基板100的厚度H满足如下关系：h/H＜1/3。一般地，该外延基板100的厚度H为250～450微米。该生长区域15的厚度h为10～133微米。