[发明专利]外延基板有效
| 申请号: | 201010289813.9 | 申请日: | 2010-09-23 |
| 公开(公告)号: | CN102412356A | 公开(公告)日: | 2012-04-11 |
| 发明(设计)人: | 凃博闵;黄世晟;黄嘉宏;杨顺贵 | 申请(专利权)人: | 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/20 | 分类号: | H01L33/20 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 外延 | ||
1.一种用于成长发光二极管磊晶结构的外延基板,该外延基板包括:一第一表面以及与其相对的第二表面,该第一表面与第二表面之间的距离为该外延基板的厚度H,该外延基板的第一表面上形成有多个第一凹槽,每个第一凹槽具有一个第一底面,该外延基板上与第一底面相对的表面为生长表面,该生长表面用于外延生长发光二极管,该第一底面与生长表面之间的部分为生长区域,该第一底面与生长表面之间的距离为生长区域的厚度h,该生长区域的厚度h与该外延基板的厚度H满足如下关系:
h/H<1/3。
2.如权利要求1所述的外延基板,其特征在于,该生长表面与该外延基板的第二表面在同一平面上。
3.如权利要求1所述的外延基板,其特征在于,该外延基板的第二表面上设置有保护层,该保护层围绕该生长区域设置。
4.如权利要求1所述的外延基板,其特征在于,该外延基板的第二表面上进一步形成多个与第一凹槽相对应的第二凹槽,每个第二凹槽具有一个第二底面,该第二凹槽的第二底面为所述生长表面。
5.如权利要求4所述的外延基板,其特征在于,该第一凹槽与该第二凹槽的深度相同。
6.如权利要求4所述的外延基板,其特征在于,该外延基板的第二表面上设置有保护层,该保护层围绕该生长区域设置。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司,未经展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010289813.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种散热器
- 下一篇:一种电子跳远测量装置





