[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，具备第1晶体管与第2晶体管，且通过所述第1及第2晶体管发挥作为反向器的功能；

所述第1晶体管包括以下构成：

岛状半导体层；

第1栅极绝缘膜，用以包围所述岛状半导体层周围；

栅极电极，用以包围所述第1栅极绝缘膜周围；

第1导电型上部高浓度半导体层，形成于所述岛状半导体层的上方部分；及

第1导电型下部高浓度半导体层，形成于所述岛状半导体层的下方部分；

所述第2晶体管包括以下构成：

所述栅极电极；

第2栅极绝缘膜，用以包围所述栅极电极周围的至少一部分；

半导体层，与所述第2栅极绝缘膜周围的至少一部分相邻接；

第2导电型上部高浓度半导体层，形成于所述半导体层的上方部分，具有与所述第1导电型上部高浓度半导体层相反的导电型；及

第2导电型下部高浓度半导体层，形成于所述半导体层的下方部分，具有与所述第1导电型下部高浓度半导体层相反的导电型；

还具备第1接触部，用以将所述第1晶体管中的所述第1导电型上部高浓度半导体层、与所述第2晶体管中的所述第2导电型上部高浓度半导体层予以彼此电性连接。

2.一种半导体器件，其特征在于，具备第1晶体管与第2晶体管，且通过所述第1及第2晶体管发挥作为反向器的功能；

所述第1晶体管包括以下构成：

岛状半导体层；

第1栅极绝缘膜，用以包围所述岛状半导体层周围；

栅极电极，用以包围所述第1栅极绝缘膜周围；

第1导电型上部高浓度半导体层，形成于所述岛状半导体层的上方部分；及

第1导电型下部高浓度半导体层，形成于所述岛状半导体层的下方部分；

所述第2晶体管包括以下构成：

所述栅极电极；

栅极绝缘膜，用以包围所述栅极电极周围的至少一部分；

弧状半导体层，与所述栅极绝缘膜周围的一部分相邻接；

第2导电型上部高浓度半导体层，形成于所述弧状半导体层的上方部分，具有与所述第1导电型上部高浓度半导体层相反的导电型；及

第2导电型下部高浓度半导体层，形成于所述弧状半导体层的下方部分，具有与所述第1导电型下部高浓度半导体层相反的导电型；

还具备第1接触部，用以将所述第1晶体管中的所述第1导电型上部高浓度半导体层、与所述第2晶体管中的所述第2导电型上部高浓度半导体层予以彼此电性连接。