[发明专利]衬底处理方法及衬底处理装置有效
| 申请号： | 201010287118.9 | 申请日： | 2010-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN102024742A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 原田彻;南政克 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 方法 装置 | ||
1.一种衬底处理方法，其特征在于，具有如下工序：
将涂布有聚硅氮烷的衬底向衬底处理室内搬入的衬底搬入工序；
使搬入了衬底的衬底处理室内成为水蒸气气体环境、减压气体环境下以及350℃以上450℃以下的温度的工序；
在使衬底处理室内成为水蒸气气体环境、减压气体环境下以及350℃以上450℃以下的温度的状态下，对所述衬底进行热处理的第一热处理工序；
其次，使衬底处理室内从第一热处理工序的350℃以上450℃以下的温度上升到900℃以上1000℃以下的温度的升温工序；
在使衬底处理室内成为水蒸气气体环境、减压气体环境下以及900℃以上1000℃以下的温度的状态下，对所述衬底进行热处理的第二热处理工序。
2.如权利要求1所述的衬底处理方法，其特征在于，具有第三热处理工序，其在所述第二热处理工序后，在使衬底处理室内成为惰性气体环境、减压气体环境下以及900℃以上1000℃以下的温度的状态下，对所述衬底进行热处理。
3.如权利要求1或2所述的衬底处理方法，其特征在于，在所述衬底上涂布聚硅氮烷之前形成有硅氮化膜。
4.一种衬底处理装置，其特征在于，具有：
收容衬底的衬底处理室；
对收容在衬底处理室中的衬底进行加热的加热器；
水蒸气发生器；
从水蒸气发生器向衬底处理室内供给水蒸气的水蒸气供给管；
对衬底处理室内的气体环境进行排气的排气管；
控制部，
所述控制部进行如下控制：
在使衬底处理室内成为水蒸气气体环境、减压气体环境下以及350℃以上450℃以下的温度的状态下，实施对所述衬底进行热处理的第一热处理之后，使衬底处理室内从第一热处理工序的350℃以上450℃以下升温到900℃以上1000℃以下的温度，在使衬底处理室内成为水蒸气气体环境、减压气体环境下以及900℃以上1000℃以下的温度的状态下，实施对所述衬底进行热处理的第二热处理，之后，在使衬底处理室内成为惰性气体环境、减压气体环境下以及900℃以上1000℃以下的温度的状态下，实施对所述衬底进行热处理的第三热处理。
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