[发明专利]半导体发光器件

说明书

相关申请的交叉引用

本申请基于并要求2010年3月8日提交的在先的日本专利申请2010-051165的优先权，在此引入其整个内容作为参考。

技术领域

在此描述的实施例一般而言涉及半导体发光器件。

背景技术

利用其具有宽带隙的特性，诸如氮化镓(GaN)的基于氮的III-V族光化合物半导体被应用于发光器件，例如发射紫外到蓝光和绿光的高亮度的发光二极管(LED)以及发射蓝紫光到蓝光的激光二极管(LD)。

这样的半导体发光器件具有p侧电极和n侧电极。电极的设置有两种类型：“面朝上型”，其中p侧电极和n侧电极设置在半导体发光器件的同一侧；以及“倒装芯片型”，其中p侧电极和n侧电极分别设置在半导体发光器件的相反侧。

“面朝上型”半导体发光器件可被容易地安装到封装上。然而，这种器件的电流密度分布很可能是不均匀的，因而这种器件很可能具有不均匀的发光分布。

在JP-A 2001-345480(特开)中，描述了III族基于氮的化合物半导体器件。在具有700μm或更大的最外直径的器件中，n电极与距n电极最远的p电极点之间的距离为500μm或更小。此外，提出了各种电极形状。

然而，即使使用这样的常规技术，仍有改进发光分布的完全实现的均匀性的空间。

发明内容

一般而言，根据一个实施例，一种半导体发光器件包括层叠的结构体、第一电极和第二电极。所述层叠的结构体包括第一导电类型的第一半导体层、第二导电类型的第二半导体层、以及发光部。所述第一半导体层具有主表面、设置在所述主表面上的第一部分和设置在所述主表面上的第二部分。所述第二半导体层被设置在所述第一部分上。所述发光部被设置在所述第一半导体层的所述第一部分与所述第二半导体层之间。所述第一电极被设置在所述第一半导体层的所述第二部分上。所述第二电极被设置在所述第二半导体层上。所述第一电极包括第一衬垫部和第一延伸部。所述第一延伸部从所述第一衬垫部沿第一延伸方向延伸。所述第一延伸部包括第一宽度增大部。所述第一宽度增大部的沿与所述第一延伸方向正交的方向的宽度从所述第一衬垫部朝向所述第一延伸部的端部增大。

根据另一实施例，半导体发光器件包括层叠的结构体、第一电极和第二电极。所述层叠的结构体包括第一导电类型的第一半导体层、第二导电类型的第二半导体层、以及发光部。所述第一半导体层具有主表面、设置在所述主表面上的第一部分和设置在所述主表面上的第二部分。所述第二半导体层被设置在所述第一部分上。所述发光部被设置在所述第一半导体层的所述第一部分与所述第二半导体层之间。所述第一电极被设置在所述所述第一半导体层的所述第二部分上。所述第二电极被设置在所述第二半导体层上。所述第一电极包括第一衬垫部和第一延伸部。所述第一延伸部从所述第一衬垫部沿第一延伸方向延伸。所述第一延伸部包括第一宽度减小部。所述第一宽度减小部的沿与所述第一延伸方向正交的方向的宽度从所述第一衬垫部朝向所述第一延伸部的端部减小。所述第一衬垫部与所述第二电极的最靠近所述第一衬垫部的端部之间的距离大于所述第一衬垫部与所述第一延伸部的沿所述第一延伸方向的中心之间的距离。

附图说明

图1是示出半导体发光器件的示意性平面图；

图2是沿由图1中的箭头所表示的线A-A’截取的示意性截面图；

图3是沿由图1中的箭头所表示的线B-B’截取的示意性截面图；

图4A到4C是示例出根据比较例的半导体发光器件的示意性平面图；

图5A到5H是示出半导体发光器件的特性的图；

图6A到8是示出半导体发光器件的示意性平面图；

图9A到9F是示出半导体发光器件的特性的图；以及

图10到12B是示出半导体发光器件的示意性平面图。

具体实施方式

下面将参考附图更详细地说明本发明的示例性实施例。

附图是示意性的或概念性的；并且各部分的厚度与宽度之间的关系、各部分之间的尺寸的比例系数等等未必与其实际值相同。此外，各附图之间，甚至对于相同的部分，尺寸和比例系数可以被不同地示例。

在本申请的说明书和附图中，用相似的参考标号标记与关于上述附图描述的内容相似的部件，并且在适当时省略详细的描述。

(第一实施例)

图1是示出根据第一实施例的半导体发光器件的配置的示意性平面图。

图2是沿由图1中的箭头所表示的线A-A’截取的示意性截面图。

图3是沿由图1中的箭头所表示的线B-B’截取的示意性截面图。