[发明专利]大豆非组织培养植株再生方法及其应用无效

专利信息
申请号: 201010270559.8 申请日: 2010-09-01
公开(公告)号: CN101946623A 公开(公告)日: 2011-01-19
发明(设计)人: 单志慧;沙爱华;陈海峰;陈李淼;郝青南;孙佃臣;田星星;周新安 申请(专利权)人: 中国农业科学院油料作物研究所
主分类号: A01G1/00 分类号: A01G1/00
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人: 关畅;任凤华
地址: 430062*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 大豆 组织培养 植株 再生 方法 及其 应用
【权利要求书】:

1.一种获得植物再生植株的方法,包括如下步骤:

将植物苗的顶芽去除,再沿子叶接缝处平分纵切下胚轴,将1个植物苗一分为二,分别作为外植体,每个外植体在子叶节处均具有1片子叶和1个腋芽;将外植体进行培养,得到植物再生植株;

所述植物苗为具有如下结构的苗:在子叶节处具有2片子叶及2个腋芽,子叶节之上部分为顶芽和上胚轴,子叶节之下部分为根和下胚轴。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:

所述将顶芽去除的位置是从所述子叶节处除去;

在所述培养植物再生植株的方法中,所述将植物苗的顶芽去除和所述再沿子叶接缝处平分纵切下胚轴的步骤间还包括将所述植物苗的根去除的步骤,所述植物苗的根去除位置是自所述子叶节处下数2cm-3cm处;所述将根去除的位置具体为自子叶节处下数2cm、2.5cm或3cm处。

3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于:所述将外植体进行培养的方法包括如下步骤:将外植体的子叶节以下部分均埋入基质中,再进行培养,得到再生植株幼苗;

所述基质为无菌蛭石;

所述培养的条件包括温度为24℃-26℃,光照条件为每天14小时-18小时光照/10小时-6小时黑暗,光照强度为100μmol/m2/s-140μmol/m2/s,湿度为60%-90%。

4.根据权利要求1-3中任一所述的方法,其特征在于:所述温度为24℃、25℃或26℃,所述光照条件为每天14小时光照/10小时黑暗、16小时光照/8小时黑暗或18小时光照/6小时黑暗,所述光照强度为100μmol/m2/s、120μmol/m2/s或140μmol/m2/s,所述湿度为60%、80%或90%。

5.根据权利要求1-4中任一所述的方法,其特征在于:所述培养的时间为20天-30天。

6.根据权利要求1-5中任一所述的方法,其特征在于:所述培养的时间为20天、25天或30天。

7.根据权利要求1-6中任一所述的方法,其特征在于:所述植物为双子叶植物,所述双子叶植物优选为豆科植物,尤其优选为大豆。

8.权利要求1-7中任一所述的方法在植物的遗传育种中的应用。

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