[发明专利]一种晶体硅太阳电池选择性发射结的制作方法有效
| 申请号： | 201010263642.2 | 申请日： | 2010-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN101937941A | 公开（公告）日： | 2011-01-05 |
| 发明（设计）人： | 邓伟伟;金浩;刘亚峰 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/042;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 王凌霄 |
| 地址： | 213031 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 太阳电池 选择性 发射 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶体硅太阳电池选择性发射结的制作方法，其特征在于：所述的制作方法为：将硅片清洗制绒后进行一次重扩散，在一次重扩散后的硅片表面镀一层氮化硅薄膜，然后在硅片表面场区部分印刷刻蚀Si的刻蚀浆料，刻蚀时间为20min～120min，硅片表面形成重掺杂区和轻掺杂区。
2.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳电池选择性发射结的制作方法，其特征在于：所述的镀氮化硅薄膜的温度为200℃～500℃，膜厚为5nm～20nm。
3.一种晶体硅太阳电池选择性发射结的制作方法，其特征在于：所述的制作方法为：将硅片清洗制绒后进行一次重扩散，重扩散后在硅片表面场区部分印刷刻蚀Si的刻蚀浆料，刻蚀时间为20min～120min，硅片表面形成重掺杂区和轻掺杂区。
4.根据权利要求1或3所述的一种晶体硅太阳电池选择性发射结的制作方法，其特征在于：所述的硅片重扩散的温度为800℃～1000℃，扩散后方阻为10ohm/sq～50ohm/sq。
5.根据权利要求1或3所述的一种晶体硅太阳电池选择性发射结的制作方法，其特征在于：所述的刻蚀Si的刻蚀浆料含有1％～50％的氟化氢胺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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