[发明专利]相变存储器的制作方法

权利要求书

1.一种相变存储器的制作方法，该方法包括：

步骤1：在衬底上淀积一层第一绝缘材料层；

步骤2：在第一绝缘材料层上淀积一层金属层，作为相变存储器的下电极；

步骤3：在金属层上制备一层第二绝缘材料层；

步骤4：在第二绝缘材料层上采用微纳加工技术制备金属插塞电极的小孔；

步骤5：采用无电化学镀的方法在小孔内填充金属作为插塞电极；

步骤6：在第二绝缘材料层上淀积一层相变材料；

步骤7：在相变材料上淀积一层金属材料，作为相变存储器的上电极；

步骤8：在金属材料上淀积一层第三绝缘材料层；

步骤9：在第三绝缘材料层上钝化开孔；

步骤10：在第三绝缘材料层上和钝化开孔内，再淀积一层金属电极层，完成相变存储器的制作。

2.根据权利要求1所述的相变存储器的制作方法，其中所述衬底是半导体材料衬底，或者是包括由CMOS、三极管或二极管构成相变存储器驱动电路的衬底。

3.根据权利要求1所述的相变存储器的制作方法，其中所述衬底上淀积的第一、第二和第三绝缘材料层是二氧化硅或氮化硅；第一、第二和第三绝缘材料层的制备是采用溅射法、蒸发法、等离子体辅助淀积法、化学气相淀积法、金属有机物热分解法、激光辅助淀积法或热氧化方法中的任一种。

4.根据权利要求1所述的相变存储器的制作方法，其中所述作为下电极的金属层和金属材料是氮化钽、氮化钨、氮化钛、钨、镍、铝、钛、铜、银、金或铂中的一种。

5.根据权利要求1或4所述的相变存储器的制作方法，其中所述金属层和金属材料是采用溅射法、蒸发法和化学气相淀积法中的任一种制备的。

6.根据权利要求1所述的相变存储器的制作方法，其中所述相变材料层是Ge₂Sb₂Te₅、Ge₁Sb₂Te₄、Sb₂Te₃、GeTe、Si₂Sb₂Te₅或Sb具有存储功能的材料。

7.根据权利要求1所述的相变存储器的制作方法，其中所述金属插塞电极小孔是用光刻和干法刻蚀方法制备的，该小孔的直径小于200nm。

8.根据权利要求1所述的相变存储器的制作方法，其中所述在金属插塞电极小孔填充的金属是用无电化学镀方法直接镀的镍、铜、钴、锡、金、银、铂或及其合金材料。