[发明专利]太阳能电池的选择性发射极的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种太阳能电池制造方法，尤其涉及一种太阳能电池的选择性发射极的制造方法。

背景技术

全世界陷入能源短缺的状况中，世界各国不断的加快研发替代能源的脚步，太阳能电池由于无污染且取之不尽的特色更是受到瞩目。参照图1A～1F，首先提供一P型半导体基板1，并于其上进行表面蚀刻，使该P型半导体基板1的表面具有凹凸不平的纹理以减少光线反射的可能。接着掺杂N型半导体材质于该P型半导体基板1上形成一发射极层2(emitter)，此时，该发射极层2上会形成一磷硅玻璃层3(Phosphorous Silicate Glass，PSG)，接着必须移除该磷硅玻璃层3，并且沉积一抗反射层4(Anti-reflection Coating，ARC)以减少光线入射时的反射，之后，分别设置一第一导电层5及一第二导电层6，该第一导电层5穿过该抗反射层4表面与该发射极层2连接，该第二导电层6设置于该P型半导体基板1相对该抗反射层4的表面，最后进行烧结(co-firing)及测试，由此完成太阳能电池的制程。而如果发射极层2的浓度高的话，可以有效降低该第一导电层5与该P型半导体基板1之间的奥姆阻抗(OhmicResistance)，增加导电的效率。但是，高浓度的发射极层2容易造成电子电洞的再结合(Recombination)，反而造成发电效率的降低，因此必须选择适当浓度的发射极层2以避免高奥姆阻抗及电子电洞再结合率的上升。

因此，选择性发射极的太阳能电池便是一个有效的解决方法，如中国台湾专利公开第200945596号，其揭露了一种具有选择性发射极的太阳能电池制造方法，其于一硅基板上利用湿蚀刻方式使位于该硅基板上的一发射极层具有一高掺杂部分及一低掺杂部分，该高掺杂部分连接有一导电电极，由此降低奥姆阻抗，增加电传导的能力。而未连接该导电电极的部分则为一低掺杂部分，用以降低电子电洞的再结合率。而太阳能电池的制造成本是主要考虑因素之一，若能减少一道制程或者能降低任一道制程的制作成本，便能有效降低太阳能电池的整体制造成本。

发明内容

本发明的主要目的在于提供另一选择性发射极太阳能电池的制作方法。

为达上述目的，本发明提供一种太阳能电池的选择性发射极的制造方法，其包括有下列步骤：

S1：提供一半导体基板，其具有一正表面及一背表面；

S1A：进行表面蚀刻，其是先洗净该半导体基板，再利用一蚀刻液对该半导体基板的正表面及背表面进行表面蚀刻，增加该半导体基板的表面粗糙度以降低光线入射时的反射；

S2：对该半导体基板进行掺杂，一掺杂区域形成于该半导体基板的正表面上，该掺杂区域包含有一远离该半导体基板形成的高掺杂层及一与该半导体基板连接的低掺杂层，且一硅玻璃层形成于该高掺杂层的远离该低掺杂层的表面；

S3：设置一遮盖层于该硅玻璃层上，该遮盖层于该硅玻璃层上形成一遮盖区域及一开放区域；

S4：对该硅玻璃层进行蚀刻，利用一酸蚀刻液对该开放区域下的该硅玻璃层进行蚀刻；

S5：去除该遮盖层，蚀刻去除该遮盖层，留下该遮盖区域下的该硅玻璃层；

S6：对该高掺杂层进行蚀刻，利用该蚀刻液对该开放区域下的该高掺杂层进行蚀刻并留下该低掺杂层；及

S7：去除该遮盖区域下的该硅玻璃层，利用该酸蚀刻液对剩下的该硅玻璃层进行蚀刻去除。

由上述说明可知，相对于已知技术，本发明具有下列特点：提供一种太阳能电池选择式发射极的制造方法，其利用该遮盖层及该硅玻璃层的遮盖将该掺杂区域蚀刻出一高掺杂层及一低掺杂层，由此实现太阳能电池选择性发射极的制造。

附图说明

图1A～1F是已知技术一较佳实施例的制程说明示意图。

图2是本发明一较佳实施例的步骤流程示意图。

图3A～3G是本发明一较佳实施例的选择性发射极的制程说明示意图。

图4A～4C是本发明一较佳实施例的后续制程说明示意图。

具体实施方式

有关本发明的详细说明及技术内容，现就配合图式说明如下：

参照图2、图3A～3G及图4A～4C所示，图2为本发明一较佳实施例的步骤流程示意图，图3A～3G为本发明一较佳实施例的选择性发射极的制程说明示意图，图4A～4C为本发明一较佳实施例的后续制程说明示意图，如图所示：本发明为一种太阳能电池的选择性发射极的制造方法，其包括下列步骤：