[发明专利]太阳能电池的选择性发射极的制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池的选择性发射极的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括下列步骤：

S1：提供一半导体基板(10)，其具有一正表面(11)及一背表面(12)；

S1A：进行表面蚀刻，先洗净所述半导体基板(10)，再利用一蚀刻液对所述半导体基板(10)的正表面(11)及背表面(12)进行表面蚀刻，增加所述半导体基板(10)的表面粗糙度以降低光线入射时的反射；

S2：对所述半导体基板(10)进行掺杂，一掺杂区域(20)形成于所述半导体基板(10)的正表面(11)上，所述掺杂区域(20)包含有一远离所述半导体基板(10)形成的高掺杂层(21)及一与所述半导体基板(10)连接的低掺杂层(22)，且一硅玻璃层(30)形成于所述高掺杂层(21)的远离所述低掺杂层(22)的表面；

S3：设置一遮盖层(40)于所述硅玻璃层(30)上，所述遮盖层(40)于所述硅玻璃层(30)上形成一遮盖区域(41)及一开放区域(42)；

S4：对所述硅玻璃层(30)进行蚀刻，利用一酸蚀刻液对所述开放区域(42)下的所述硅玻璃层(30)进行蚀刻；

S5：去除所述遮盖层(40)，蚀刻去除所述遮盖层(40)，留下所述遮盖区域(41)下的所述硅玻璃层(30)；

S6：对所述高掺杂层(21)进行蚀刻，利用所述蚀刻液对所述开放区域(42)下的所述高掺杂层(21)进行蚀刻并留下所述低掺杂层(22)；及

S7：去除所述遮盖区域(41)下的所述硅玻璃层(30)，利用所述酸蚀刻液对剩下的所述硅玻璃层(30)进行蚀刻去除。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池的选择性发射极的制造方法，其特征在于，所述制造方法还具有一步骤S8：设置一抗反射层(50)，其设置在完成蚀刻后的所述掺杂区域(20)的表面，增加光线进入所述半导体基板(10)的可能。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池的选择性发射极的制造方法，其特征在于，所述抗反射层(50)的材质选自于由氮化硅、氧化硅、二氧化钛、氧化锌、氧化锡及二氧化镁所组成的群组。

4.根据权利要求2所述的太阳能电池的选择性发射极的制造方法，其特征在于，所述制造方法还具有一步骤S9：设置一正面导电层(60)及一背面导电层(70)，所述正面导电层(60)穿透所述抗反射层(50)与所述高掺杂层(21)连接，而所述背面导电层(70)设置在所述半导体基板(10)的背表面(12)。

5.根据权利要求4所述的太阳能电池的选择性发射极的制造方法，其特征在于，一背面电场层(71)设置在所述半导体基板的背表面(12)，且所述背面电场层(71)的两面分别与所述半导体基板的背表面(12)及所述背面导电层(70)连接。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池的选择性发射极的制造方法，其特征在于，所述酸蚀刻液为一氢氟酸蚀刻液。

7.根据权利要求1所述的太阳能电池的选择性发射极的制造方法，其特征在于，所述步骤S3中的所述遮盖层(40)以网版印刷的方式设置在所述硅玻璃层(30)上，且所述遮盖层(40)的材质为树脂。

8.根据权利要求7所述的太阳能电池的选择性发射极的制造方法，其特征在于，利用一有机蚀刻液对所述遮盖层(40)进行蚀刻。

9.根据权利要求1所述的太阳能电池的选择性发射极的制造方法，其特征在于，所述半导体基板(10)为一P型基板材质，所述掺杂区域(20)是利用磷进行掺杂，且所述硅玻璃层(30)的材质为一磷硅玻璃。

10.根据权利要求1所述的太阳能电池的选择性发射极的制造方法，其特征在于，所述高掺杂层(21)在每立方厘米的掺杂个数介于1×10¹⁸至5×10²⁰之间，所述低掺杂层(22)在每立方厘米的掺杂个数介于1×10¹⁵至5×10¹⁸之间。