[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及具有贯通电极的半导体装置及其制造方法。

背景技术

参照图43，半导体装置50利用引线接合32、32与半导体装置60以及70电连接。半导体装置60以及70也利用引线接合32被电连接。

半导体装置50例如是集成电路(ASIC：Application Specific Integrated Circuit)。参照图44，半导体装置50具备具有第一主表面10以及第二主表面20的半导体衬底1。半导体装置50具有半导体元件部5以及被引线接合的端子部32a。

半导体装置60以及半导体装置70例如是具有薄膜结构的半导体加速度传感器。参照图45，半导体装置60具有Si衬底61。Si衬底61被盖部62a以及盖部62b夹持。在Si衬底61的内部，形成有支持部63a、支持部63b、浮置部64a以及浮置部64b。

支持部63a以及支持部63b分别与盖部62a以及盖部62b连接。半导体装置60具有被引线接合的端子部32b。在日本特开2000-187041号公报中公开了与半导体装置60相同的结构。

半导体装置70具有与上述半导体装置60相同的结构。这样的半导体装置50、半导体装置60以及半导体装置70配置在大致同一平面上(参照图43)，所以，为了安装半导体装置50、半导体装置60以及半导体装置70，需要平面上的面积。

代替上述结构，对将半导体装置50、半导体装置60以及半导体装置70在纵向层叠而三维地安装的技术进行说明。参照图46，半导体装置50、半导体装置60以及半导体装置70被纵向层叠。半导体装置50、半导体装置60以及半导体装置70的各自的半导体元件利用作为贯通电极的电极30a以及作为贯通电极的电极30c被电连接。

在图46中，为了便于说明，示意性记载了各半导体装置，而没有详细地记载各半导体元件。关于各半导体元件的详细情况，记载在图47中。

参照图47，更具体地进行说明。由于将与半导体装置50的半导体元件部电连接的端子电极31a、与半导体装置60的半导体元件部电连接的端子电极31c电连接，所以，半导体装置60具备在半导体装置60的厚度方向贯通的电极30c。电极30c是贯通电极。在半导体装置50和半导体装置60之间，设置有用于将电极30c和端子电极31a电连接的导电性的凸起33c。

由于将与半导体装置70的半导体元件部电连接的端子电极31e和半导体装置50的端子电极31a电连接，所以，半导体装置50具备在半导体装置50的厚度方向贯通的电极30a。电极30a是贯通电极。在半导体装置50和半导体装置70之间，设置有用于将电极30a和端子电极31e电连接的导电性的凸起33a。半导体装置50和半导体装置60被电连接，半导体装置70和半导体装置50被电连接。

半导体装置60还具备用于对半导体装置50的半导体元件以及半导体装置60的半导体元件进行连接的贯通电极即另一个电极30d。电极30d将与半导体装置60的其他的半导体元件部电连接的端子电极31d和在半导体装置60与半导体装置50之间设置的凸起33d电连接。

半导体装置50也同样地具有用于将半导体装置50的半导体元件以及半导体装置70的半导体元件连接的贯通电极即另一个电极30b。电极30b将与半导体装置50的其他半导体元件部电连接的端子电极31b和设置在半导体装置50与半导体装置70之间的凸起33b电连接。

将半导体装置50、半导体装置60以及半导体装置70纵向层叠而三维地安装的技术在日本特开2004-152811号公报、日本特开2003-046057号公报以及日本特开2004-200547号公报中也被公开了。与贯通电极相关的技术在日本特开2002-237468号公报、日本特开2001-044197号公报以及日本特开2007-096233号公报中也被公开了。

关于上述那样的使用贯通电极对多个半导体装置三维地安装的技术，例如，如图47所示，为了得到电极30a与电极30c之间的良好的电连接，电极30a以及电极30c在纵向重叠地配置。并且，以如下方式配置：夹持凸起33c，电极30a的上端部和电极30c的下端部位置精度较好地一致。电极30a以及电极30c都是贯通电极。

在设计各半导体装置的阶段，需要以贯通电极在纵向重叠的方式进行设计，所以，各半导体元件等的配置上的自由度被限制。其结果是，作为产品而完成的半导体装置整体变大。

发明内容