[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：

半导体衬底，具有第一以及第二主表面；

多个电极，彼此隔开并且从所述第一主表面朝向所述半导体衬底的深度方向设置；

布线部，将任意的多个所述电极彼此间连结，不贯通所述半导体衬底地从所述第一主表面朝向所述半导体衬底的深度方向设置，以将所述电极中的任意的多个所述电极彼此电连接；以及

第一绝缘膜，设置在多个所述电极以及所述布线部和所述半导体衬底之间，

利用所述布线部电连接的所述电极中的至少一个所述电极是贯通所述半导体衬底达到所述第二主表面的贯通电极。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述贯通电极在所述第一主表面上形成为大致圆形形状，

在所述贯通电极和所述布线部接触的部分，与所述贯通电极连结的所述布线部的宽度比所述贯通电极的直径小。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

设置有多个所述贯通电极，

所述半导体衬底的所述第二主表面包含第三主表面和与所述第三主表面相比相对厚度较薄的第四主表面，

多个中的任意一个所述贯通电极从所述第一主表面贯通所述半导体衬底达到所述第三主表面，

多个中的任意其他的所述贯通电极从所述第一主表面贯通所述半导体衬底达到所述第四主表面。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

设置有多个所述贯通电极，

还具有第一以及第二半导体装置，设置在所述第二主表面上，通过所述贯通电极以及所述布线部彼此电连接。

5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

所述第二主表面除了设置有所述贯通电极的部分之外被第二绝缘膜覆盖，

未被所述第二绝缘膜覆盖的所述贯通电极以从所述第二绝缘膜进一步突出的方式设置。

6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

所述第二半导体装置具有用于与突出设置的所述贯通电极电连接并且形成在所述第二半导体装置的表面的连接部，

所述连接部以从所述第二半导体装置的表面凹下的方式形成，

在所述连接部的大致中央的表面埋设有铝。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

还具有：第一半导体装置，配置在所述第一主表面上；第二半导体装置，配置在所述第二主表面上，

所述第一以及所述第二半导体装置通过多个所述电极以及所述布线部彼此电连接。

8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还具有：

环状的保护环，在所述半导体衬底的周缘部，从所述第一主表面朝向所述第二主表面以预定的深度设置，并且，分别隔开预定的间隙配置有多个；

环状的导电膜，在配置于最外周的所述保护环的外侧，隔开预定的间隙，设置在所述第一主表面上；

作为沟道停止层的环状的电极，沿着环状的所述导电膜，从所述第一主表面朝向所述半导体衬底的深度方向以预定的深度设置。

9.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

多个所述电极以及所述布线部的材料使用掺杂多晶硅，

将成膜条件最优化，形成所述掺杂多晶硅，使得缓和所述第一绝缘膜施加到所述半导体衬底的应力。

10.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，

具有如下工序：准备具有第一以及第二主表面的半导体衬底；形成彼此隔离且从所述第一主表面朝向所述半导体衬底的深度方向的多个接触孔、以及将任意的所述接触孔彼此之间连结且不贯通所述半导体衬底地从所述第一主表面朝向所述半导体衬底的深度方向的布线槽部；以覆盖由所述布线槽部连结的多个所述接触孔以及所述布线槽部的表面的方式，形成第一绝缘膜；以包含被所述第一绝缘膜覆盖的多个所述接触孔以及所述布线槽部的内部的方式，填充导电性的金属；对在由所述布线槽部连结的所述接触孔中的至少一个所述接触孔的内部所填充的导电性的所述金属贯通所述半导体衬底并达到所述第二主表面的作为贯通电极的电极进行形成，

包含所述电极的接触孔在所述第一主表面上形成为大致圆形形状，

在所述布线槽部和包含所述电极的所述接触孔接触的部分，与包含所述电极的所述接触孔连结的所述布线槽部的宽度形成得比包含所述电极的所述接触孔的直径小。