[发明专利]固体摄像装置及其制造方法

权利要求书

1.一种背面照射型的固体摄像装置的制造方法，包括以下步骤：

准备在半导体基板上隔着埋入绝缘膜形成了第一导电型的半导体层的基板，并在该基板的上述半导体层的表面上形成掩膜，该掩膜具有与像素图形对应的开口；

使用上述掩膜从上述半导体层的表面侧向该层内离子注入第二导电型的杂质，通过该离子注入形成作为上述像素的第二导电型的光电转换部，并且将未被离子注入的部分作为像素分离区域仍保持为第一导电型；

在去除上述掩膜之后，在上述半导体层的表面部形成信号扫描电路，该信号扫描电路用于读出由上述光电转换部得到的光信号；

在形成了上述信号扫描电路的上述半导体层的表面侧，粘结支承基板；

在粘结了上述支承基板之后，从上述半导体层去除上述半导体基板以及埋入绝缘膜。

2.如权利要求1所述的背面照射型的固体摄像装置的制造方法，其中，

为了形成上述光电转换部，在上述半导体层中均匀掺杂n型杂质，使用上述掩膜在上述半导体层中从该层的表面侧向背面侧离子注入p型杂质，并且使离子注入的最大深度比上述半导体层的厚度浅。

3.如权利要求2所述的背面照射型的固体摄像装置的制造方法，其中，

通过使上述p型杂质的离子注入的最大深度比上述半导体层的厚度浅，将上述半导体层的背面部分仍保持为上述n型。

4.如权利要求1所述的背面照射型的固体摄像装置的制造方法，其中，

为了形成上述光电转换部，在上述半导体层中以第一浓度均匀掺杂n型杂质，并且在该层的背面侧以比上述第一浓度高的第二浓度掺杂n型杂质，使用上述掩膜，在上述半导体层中以从该层的表面侧到背面的方式离子注入p型杂质。

5.如权利要求4所述的背面照射型的固体摄像装置的制造方法，其中，

以从上述半导体层的表面侧到背面的方式进行上述p型杂质的离子注入，由此使上述半导体层的背面部分成为浓度比上述第二浓度低的n型。

6.如权利要求1所述的背面照射型的固体摄像装置的制造方法，其中，

从上述半导体层去除上述半导体基板以及埋入绝缘膜之后，在上述半导体层的背面侧与上述各像素对应地设置滤色器以及微透镜。

7.如权利要求1所述的背面照射型的固体摄像装置的制造方法，其中，

为了在上述半导体层的表面侧接合上述支承基板，在上述半导体层的表面上形成包括与上述信号扫描电路电连接的布线以及绝缘膜的布线层，在该布线层上接合上述支承基板。

8.如权利要求1所述的背面照射型的固体摄像装置的制造方法，其中，

通过上述第二导电型的杂质的离子注入，将上述光电转换部形成为宽度从上述半导体层的表面侧向背面侧变宽。

9.一种背面照射型的固体摄像装置的制造方法，包括以下步骤：

准备在硅基板上隔着硅氧化膜形成了n型的硅层的基板，在上述硅层的表面上形成掩膜，该掩膜具有与像素图形对应的开口；

使用上述掩膜从上述硅层的表面侧向该层内离子注入p型杂质，通过该离子注入，形成作为上述像素的p型的光电转换部，并且由上述掩膜下的未被上述离子注入的部分形成n型的像素分离区域；

在去除上述掩膜之后，在上述硅层的表面部形成信号扫描电路，该信号扫描电路用于读出由上述光电转换部得到的光信号；

在形成了上述信号扫描电路的上述硅层的表面侧，粘结支承基板；

在粘结了上述支承基板之后，从上述硅层去除上述硅基板以及硅氧化膜；

在通过去除上述硅层及硅氧化膜而露出的上述硅层的背面侧，与上述各像素对应地设置滤色器以及微透镜。

10.一种背面照射型的固体摄像装置，包括：

第一导电型的光电转换部，在具有表面和背面的半导体层内沿面方向排列，该光电转换部相当于单位像素，接受从上述半导体层的背面侧入射的光并生成信号电荷；

信号扫描电路，设在上述半导体层的表面部，读出由上述光电转换部得到的光信号；以及

像素分离区域，设在上述半导体层内的相邻像素间的边界部分的区域，由第二导电型的扩散层构成，该像素分离区域的宽度从上述半导体层的表面侧向背面侧变窄。