[发明专利]半导体器件的制造方法以及半导体器件有效

专利信息
申请号: 201010253727.2 申请日: 2010-08-12
公开(公告)号: CN102024724A 公开(公告)日: 2011-04-20
发明(设计)人: 高田泰纪;住友芳;堀部裕史;新川秀之 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H01L21/607 分类号: H01L21/607;H01L23/49
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件 制造 方法 以及
【权利要求书】:

1.一种半导体器件的制造方法,其特征在于,包括:

(a)准备引线框架的步骤,该引线框架具有用于安装半导体芯片的芯片安装部和配置在上述芯片安装部的周围的多条引线;

(b)在上述引线框架的上述芯片安装部上安装上述半导体芯片的步骤;以及

(c)在焊针的引导下用导线连接上述半导体芯片的电极焊盘和与上述电极焊盘对应的上述引线的步骤,

上述(c)步骤中包括高度控制步骤,该高度控制步骤是在将上述导线连接在上述引线上时,在从上述导线接触上述引线的第一地点至上述焊针接触上述引线的第二地点之间以上述焊针阶段性地按压上述导线的方式来控制上述焊针的高度的步骤。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法,其特征在于,

在上述(c)步骤的上述高度控制步骤中,监视上述焊针的前端部的高度,当上述焊针的下降速度比设定值大时,减小从上述焊针对上述导线施加的载荷的大小,当上述焊针的下降速度比上述设定值小时,增大从上述焊针对上述导线施加的载荷的大小。

3.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法,其特征在于,

上述导线是铜线。

4.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法,其特征在于,

上述(c)步骤包括在上述高度控制步骤之后从上述焊针对上述导线施加载荷的载荷控制步骤。

5.根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法,其特征在于,

在上述(c)步骤中对上述导线施加超声波。

6.根据权利要求5所述的半导体器件的制造方法,其特征在于,

上述高度控制步骤中的上述焊针的高度方向的移动量与上述导线的直径相同。

7.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法,其特征在于,

上述高度控制步骤中的上述焊针的水平方向的移动量与上述导线的直径相同。

8.根据权利要求4所述的半导体器件的制造方法,其特征在于,

在上述载荷控制步骤中,上述焊针不在水平方向上移动而对上述导线施加载荷。

9.一种半导体器件的制造方法,其特征在于,包括:

(a)准备布线衬底的步骤,该布线衬底具有用于安装半导体芯片的芯片安装部和配置在上述芯片安装部的周围的多条接合引线;

(b)在上述布线衬底的上述芯片安装部上安装上述半导体芯片的步骤;以及

(c)在焊针的引导下用导线连接上述半导体芯片的电极焊盘和与上述电极焊盘对应的上述接合引线的步骤,

上述(c)步骤中包括高度控制步骤,该高度控制步骤是在将上述导线连接在上述接合引线上时,在从上述导线接触上述接合引线的第一地点至上述焊针接触上述接合引线的第二地点之间以上述焊针阶段性地按压上述导线的方式来控制上述焊针的高度的步骤。

10.根据权利要求9所述的半导体器件的制造方法,其特征在于,

在上述(c)步骤的上述高度控制步骤中,监视上述焊针的前端部的高度,当上述焊针的下降速度比设定值大时,减小从上述焊针对上述导线施加的载荷的大小,当上述焊针的下降速度比上述设定值小时,增大从上述焊针对上述导线施加的载荷的大小。

11.根据权利要求10所述的半导体器件的制造方法,其特征在于,

上述导线是铜线。

12.根据权利要求10所述的半导体器件的制造方法,其特征在于,

上述(c)步骤中包括在上述高度控制步骤之后从上述焊针对上述导线施加载荷的载荷控制步骤。

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